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业界动态 | Industry
连续渗透合成 ：
更少的工艺步骤，更精细的特征图形
美 国能源部 (DOE) 下属阿贡国家实验室 (Argonne 刻蚀更多复杂精细的特征
在聚合物表面上 SIS 类似于 ALD，但是在 SIS 中，蒸
National Laboratory) 的科学家正在寻找商业合作伙伴，
以发放授权许可证并合作开发一种新型材料合成方法，该方 汽扩散到聚合物内部（而不是顶部），在那里它与聚合物进
法有可能减少半导体加工工序的数量，而且能实现更精细的 行化学结合，并最终生长以在整个聚合物本体中形成无机结
复杂刻蚀特征图案。 构。
这种被称为“连续渗透合成”(sequential infiltration 采用这种方法，科学家们可做出能够帮助半导体制造行
synthesis, SIS) 的方法是在 2010 年发明的，源于 Argonne 科 业刻蚀更复杂精细特征图案的坚固涂层，从而使它们变得更
学家 Seth Darling 和 Jeffrey Elam 与他们的两位博士后研究 小，或者增添额外的存储及其他能力。通过运用 SIS 方法将
生的一次午餐时间的交谈。其构思基于原子层沉积 (ALD)， 它们涂敷在某种聚合物上，并随后去除聚合物的残留物，它
这是一种采用交替的化学蒸汽来生长材料（一次一个原子层） 们还能够调整各种不同金属、氧化物及其他无机材料的形状。
的薄膜沉积方法。 Argonne ALD 研究项目主管 Elam 说 ：“您可以在聚合物
Darling 说 ：“我们想，‘如果一种材料的生长可以在另 中取一个图案，把它暴露在蒸汽中并将其从有机材料变成无
一种材料的内部（而不是顶部）进行，就像聚合物一样，那 机材料。”指的是这种方法使用聚合物和蒸汽来基本制成一
不是更好吗？’第一次尝试的效果非常好。接着我们开始想 种具有特定属性的新材料所能借助的途径。“这是一种采用
象可以使用此项技术的所有不同应用。” 聚合物图案、并将该图案转换为几乎任何无机材料的方法。”
www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2019年第1期 5
