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业界动态 | Industry




                     他们说，由于 SIS 可被涂敷至几乎所有的光阻材料上， 快腐蚀，就无法制作高的特征，但是运用 SIS 方法后，要做
                 而且能够从化学和量化两个方面对无机材料的渗透进行调                           到这一点就很容易了。”
                 整，因此对于几乎任何刻蚀方案和基底，兼容性都是有保证
                 的。工艺工程师可选择一种能在提供强抗刻蚀性的同时消除                          太阳能电池和 LED
                 污染最终器件可能性的渗透剂。                                          同样，这种方法所具有的潜力不仅有望改进半导体制造，
                     在给化合物半导体形成图案时，这样的灵活性是很关键                        而且还可改善硬盘存储、太阳能电池效率、光学器件和汽车
                 的。更加重要的是，传统晶圆厂的制造流程涉及硬掩膜沉积                          防水挡风玻璃上的防反射表面。
                 和去除，而 SIS 为免除这里的许多工序提供了一条途径，从                           Darling 说 ：“通过控制硬盘驱动器或其他存储装置上的
                 而将最大限度降低损坏高频和功率器件中常用的纤薄易碎基                          磁记录，可以在增加存储空间的同时减小尺寸。”
                 底的可能性。                                                  这项技术另一种可能的应用是控制玻璃或塑料表面的光
                                                                     反射量。通过运用 SIS，科学家们能够将此类物体的表面设
                 更深的沟槽和图案崩溃                                          计成几乎完全非反射。采取这种策略，科学家可以改善太阳
                     这种方法还解决了半导体制造行业中的一个特定的问                         能电池、LED、甚至眼镜的性能。
                 题，即“图案崩溃”，这意味着用于制作电脑芯片上的电子                              Elam 说 ：“该技术在电子领域也会有许多的应用。可以
                 元件的纤小特征的崩溃，因而使之失效。                                  用它在更小的空间里挤入更多的内存，或者制成速度更快的
                     在芯片制造过程中，当在硅芯片上刻蚀图案时，抗刻蚀                        微处理器。SIS 光刻技术是一种很有前景的策略，可保持技
                 表面被用作保护涂层，以掩蔽那些不想去除的区域。但是， 术进步和摩尔定律的扩展。”
                 目前常用的抗刻蚀涂层磨损得非常快，因而造成芯片制造商                              该小 组的 技术研 究报告 已发表 于《The Journal of
                 难以制作具有深刻蚀特征的组件，Darling 说。                           Materials Chemistry》、《The Journal of Physical Chemistry》、
                     运用 SIS 方法可对无机蒸汽涂层进行合理的设计，以提 《Advanced Materials》 和 《The Journal of Vacuum Science &
                 供更好的垂直特征保护，从而实现更深的刻蚀以及在每颗芯                          Technology B》。
                 片上集成更多的组件。                                              Argonne 拥有 SIS 技术专长，他们即将发放 SIS 技术使
                     Darling 说 ：“芯片上的特征在横向上已经变得极小了， 用许可证，有兴趣使用的公司可联系 partners@anl.gov 电子
                 但是有的时候你也希望增加它们的高度。如果抗刻蚀涂层很                          邮箱，以便了解更多信息和讨论可能的合作。




                 MACOM 和 ST 携手合作提高硅基



                 GaN 产能，支持 5G 无线网络建设




                     MACOM 和 ST 近日宣布，将在 2019 年扩大 ST 工厂               谱和能效目标，他们需要宽带隙 GaN 器件的性能，以及能够
                 150mm 硅基 GaN 的产能，200mm 硅基 GaN 按需扩产。基                促进升级转型的成本结构和制造规模。通过与 ST 合作，我
                 于 2018 年初 MACOM 和 ST 达成的广泛的硅基 GaN 协议， 们相信MACOM能够满足基站厂商的全部要求---- 产品性能、
                 通过扩大晶圆供应，实现硅基 GaN 的成本优势、规模经济                        成本优势和高产量供应链。我们期待，这个早期的联合产能
                 和产业化，满足全球 5G 网络建设的需求。                               投资，可以使我们布局全球高达 85% 的 5G 网络建设市场。”
                     随着全球推出 5G 网络并转向大规模 MIMO(M-MIMO)                     ST 公司汽车与分立产品部总裁 Marco Monti 表示 ：“作
                 天线配置，射频 RF 功率产品需求预计将会大幅提高。具体                        为全球半导体技术的领导者，ST 已经在碳化硅技术领域打
                 而言，MACOM 估计功率放大器需求数量将增至 32 倍至 64                    下了坚实的基础，我们现在正在推进 RF 硅基 GaN 技术，支
                 倍，相应地，5G 基础设施投资在 5 年内预计增至 3 倍多，因此， 持 OEM 厂商建立新一代高性能 5G 网络。碳化硅是汽车功
                 单个放大器成本估计会降至十分之一至二十分之一。                             率转换等电源应用的理想选择，而硅基 GaN 能够提供实现
                     MACOM 总裁兼首席执行官 John Croteau 表示 ：“主要             5G 所需的 RF 性能、产能和商用成本结构。ST 和 MACOM
                 的基站 OEM 厂商知道，为满足 5G 天线现场部署的成本、频                     通过这一举措旨在破除行业瓶颈，满足 5G 网络建设需求。”



                6    化合物半导体 2019年第1期                                                       www.compoundsemiconductorchina.net
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