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业界动态 | Industry




                 户提供快速和高质量的支持,我们需要                  高达 8000V DC。为此及其他目的,实              测试台配备了交流电源(电网仿真器)
                 灵活的模块化设计测试装置。这也让电                  验室配备了多个带有独立高压区域的                   和各种电子负载(交流和直流)。最大
                 力电子实验室(Power Lab)能够适用              测试台。                               测试电压为 1500VDC 和 400VAC。另
                 于未来产品并符合市场发展趋势。                                                       外,测试台配备了再生功能,允许将
                     于是,我们很快意识到该电力电                 从电气特性到热特性测试                        部分使用过的能量反馈到电网中,从
                 子实验室(Power Lab)无法通过现成                  电气特性测试台旨在表征                    而在测试期间实现较低的总能量消耗。
                 产品实现,必须从头打造。确定测试台                  MOSFET 和 IGBT。这些试验台能够                  热特性测试台用于分析功率器件
                 之后,罗姆必须决定是委托经验丰富的                  在 1500 V 高压下测量器件的开关时间              的热性能。待测器件(DUT)可以是模
                 设计公司进行设计,还是由罗姆工程师                  和损耗、传导损耗和短路特性。模块                   块或分立器件、电子板,也可以是完整
                 自行设计该电力电子实验室。经过精确                  化概念确保了高灵活性,因此我们可                   的电力电子系统。该测试台搭载了高电
                 分析,罗姆选择了后者。通过这种方式, 以测试不同的封装(THD、SMD、模                                 流连续供电电源。实验室还配备环境试
                 确保测试台的高质量和高可靠性更加容                  块、客户板)。高压测试台可以在高达                  验箱,允许在特殊条件下测试器件 :其
                 易 ;同时由于公司内部掌握这些技术, 8000V DC 的电压下对器件进行表征。 测试温度范围为 -40℃~ + 180℃,测试
                 将来改造也更加简单。                         高压台位于单独的房间内,以便在运                   湿度范围为 10% ~ 98%。
                     经过几个月的辛苦建设,电力电                 行过程中保护测试仪。                             对于内部开发的电路、PCB 或参
                 子实验室(Power Lab)于 2017 年底               凭借功率测试台,转换器(AC/                考设计的绝缘测试,我们还为工程师
                 投入使用。现在,罗姆可以表征其所                   DC、DC/DC、DC/AC 和 AC/AC)可           提供了另外一个测试台。该测试台的
                 有半导体元件的电气性能,比如 SiC                 在高达 15 kVA 的实际应用条件下进行              电源可缓增到 6 kV 和 10 mA。举个例
                 MOSFET、SiC 二极管、IGBT、Si 功           测试。此外,该测试台还可以使用功率                  子,此设备可用来测试隔离式栅极驱
                 率 MOSFET 和栅极驱动器,测试电压               分析仪对效率和损耗进行高精度测量。 动板的间隙和爬电距离。






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                                                                           ƒ Thin-film integrated passive devices (IPD)
                                                                           ƒ AlScN update
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                                                                           ƒ Magnetron sputter epitaxy of AlScN
                                                                           ƒ Stress improvement for FBAR electrodes


                                                在线浏览或联系当地办公室获取杂志
                                                www.evatecnet.com/markets/power-devices/layers-power-devices
                                                T: +86 21 8019 7660, E: infochina@evatecnet.com

                                                欢迎光临半导体中国展,3月20日-22日,展位号3251


                     ADVANCED  PACKAGING   •   SEMICONDUCTOR   •   OPTOELECTRONICS   •   PHOTONICS   •   THE  THIN  FILM  POWERHOUSE



                  www.compoundsemiconductorchina.net                                          化合物半导体 2019年第2期          9
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