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microLED – 技术 | Technology
图8. 缺陷检查表明Enkris生产的200mm硅上GaN LED外延片具有很高质量。
功率相关的光致发光测量）。 （见图 7）。相比之下，对于 200 毫米的硅，颗粒
我们外延片的标志之一是它们极佳的均匀 水平可以始终控制在 100 以下。由于颗粒在生长
性，这通过光致发光映射得以显示。该技术显示 过程中是嵌在表面并损害材料的质量，所以颗粒
平均的主波长为 442nm，标准偏差低至 2.4nm（见 越少，外延片质量就越好（参见图 8 硅上 GaN 外
图 6（a））。由于这种高度均匀性，晶圆的 99％都 延片的颗粒数示例）。
落在 7nm 波长分级范围内（见图 6（b））。 硅上 GaN 外延片的一个潜在缺点是由于应变
我们相信甚至可以获得更好的结果。为了实 导致的材料边缘开裂。但是，我们已经能够控制
现更好的波长均匀性，我们将进行进一步的优化， 裂纹，将其传播限制在晶圆边缘的 1.5mm 范围内。
在多量子阱的生长过程中设计晶圆翘曲以匹配异 注意，即使不排除任何边缘，整个晶圆上的裂纹
形基座托盘。这将为整个晶圆提供生长期间的均 总数也小于 100。
匀多量子阱温度。 我们的外延片大量测试表征表明，它们具
硅制备衬底而不是蓝宝石制备衬底制的一 有制备 microLED 的强大潜力。我们的材料具有
个鲜为人知的好处，是低得多的颗粒水平。对于 30μm 以下的晶圆翘曲，内量子效率超过 80％以
150 毫米蓝宝石，由于并不成熟的化学机械清洁 及良好的波长均匀性，可以很好地支持 microLED
工艺和随后的清洗步骤，颗粒水平通常约为 2000 显示器制造的产能爬坡。
www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2019年第1期 17
