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III-V与硅集成 – 技术 | Technology与硅集成 – 技术 | Technology
III-V
图1. GaAs纳米脊形横截面的扫描电子显微图
像。（a），（b）和（c）分别显示100nm，
40nm和20nm宽的氧化物沟槽顶部的GaAs纳米
脊形。所有结构均是在单次生长中沉积得到。
（d）100nm宽的沟槽顶部上的纳米脊形阵列
的倾斜顶视扫描电子显微图像。部分图像修改
和重印自参考文献：B. Kunert et al. Appl. Phys.
Lett. 109091101 (2016)，经AIP Publishing授权
许可。
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化合物半导体 2019年第1期 2019年第1期
