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III-V与硅集成 – 技术 | Technology

确定出量子阱的位置。 这些特性表明了室温下的激光工作。正如分布式
通过高角度的环形暗场扫描透射电子显微镜 反馈激光器所预期的那样，泵浦阈值之上存在明
可以提供更多细节。当这种技术用于 100nm 宽沟 显的单模激光发射。在我们的例子中，起始点为
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槽上成像纳米脊形激光器时，每层都清晰可见。 37 mW，相当于泵浦密度为 33.6 kW cm 。令人
该器件还包含 GaPAs 层，这可用于应变补偿和额 鼓舞的是，215mW 激发的峰值发射强度比背景高
外的载流子限制。 28dB，表现出优异的单模激光器性能（见图 5（b））。
我们已经建模了激光器的性能。使用有限差 我们的激光器的一个有趣属性是发射波长随
分本征模式求解器，我们模拟了纳米脊形激光器 沟槽宽度的变化（见图 5（c））。这种变化源于纳
的基本横向电场模式（见图 3（c））。结果表明， 米脊形体积的变化，对于某些应用可能是有益的。
我们的器件具有 9.3％的横向电场模式的限制因 尽管我们的工作还处于起步阶段，但它显示
子，这足以实现有效的光学增益。进入到硅衬底 出了巨大的潜力。由于外延生长条件控制着纳米
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中的光场损耗是可接受的，其值小于 5dB cm 。 脊形工程，它可以应用于多种的器件架构和设计。
我们的器件开发开始于根特大学制造分布式 这意味着我们的激光二极管不必局限于必须通过
反馈激光器。构造这些设计用于光脉冲泵浦的边 InGaAs 和 GaAs 制备的设计，寻求更多新机会的
发射激光器涉及工艺，进入纳米脊形的顶部表面， 门一直敞开。基于这一考虑，在不间断开发我们
具有 λ/ 4 相移部分的一阶反射器光栅。为了将光 的纳米脊形激光器面向电流注入的同时，我们还
耦合出波导进行检测，我们增加了一个二阶光栅 将积极探索不同 III-V 族材料系统和器件应用的
（参见图 4，用于说明激光器的设计，激发几何结 纳米脊形形工程。因此，请留意我们的下一个成
构，泵浦激光器条件以及制造的脊形激光器的的 功，我们将很快给予报告。
顶视图）。
由于纳米脊的间距很窄，我们加工了孤立的，
扩展阅读
明显分离的纳米脊形。采用这种方法可以实现从
B. Kunert et al. Appl. Phys. Lett. 109 091101 (2016)
上进行的单个纳米脊形激光器光泵浦。
B. Kunert et al. ECS Trans. 75 409 (2016)
这些结构的光泵浦产生了明显的阈值行为，
Y. Shi et al. Optica 4 1468 (2017)
与发射光谱的线宽明显变窄一致（见图 5（a））。

SEMI 发布业界首个功率和化合物 Fab 厂预测报告

全年球半导体产业协会 SEMI 近日发布行业
首个功率和化合物半导体 Fab 厂报告。这个新的
报告（Power and Compound Fab Outlook）提供全
面的前端半导体 Fab 厂信息，并预测 2022 年全球
功率和化合物半导体的制造能力。
随着节能标准收紧以满足日益增长的高端节
能消费电子、无线通信、电动汽车、绿色能源、
数据中心以及工业和消费者物联网（物联网）应
用的需求，功率器件的重要性日益提高。全球的
半导体工厂已经对电子产品的各个方面的功率使
用进行了改进，包括电力收集、交付、转换、存
储和消费。成本结构和性能在电力电子领域至关
重要，决定了市场增长和技术采用的步伐。 具和材料市场感兴趣以及对按区域和晶圆尺寸划
复合材料推动了功率器件能效的显著提升， 分的晶圆厂中功率和复合材料性能感兴趣的人而
Power and Compound Fab Outlook 特别介绍了半导 言，该报告都是必不可少的商业工具。
体工厂采用的特定复合材料。对于那些对相关工

www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2019年第1期 23