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编者话 |  Editor's Note








                 5G 推动射频氮化镓市场



                     在过去两三年里，RF GaN（射频氮化镓）市场快速发展，已经重塑了整个
                                                                                                      社长  Publisher
                 射频功率产业。Yole Développement 研究报告（2018-2023 射频氮化镓市场 ：应
                                                                                                     麦协林  Adonis Mak
                 用、厂商、技术和基板）显示 ：截止 2017 年末，RF GaN 整体市场规模已经接近                                      adonism@actintl.com.hk
                 3.8 亿美元。RF GaN 在各个市场的渗透率实现了突破，尤其是电信和国防应用市

                 场，在这两个应用领域的复合年增长率超过了 20%。随着 5G 网络应用的到来，                                              主编  Editor in Chief
                                                                                                     赵雪芹   Sunnie Zhao
                 预计 RF GaN 市场在 2019-2022 年将获得又一轮爆发增长。RF GaN 整体市场规模
                                                                                                   sunniez@actintl.com.hk
                 到 2023 年预计将增长至目前的 3.4 倍，2017-2023 年复合年增长率可达 22.9%。
                     Yole 报告分析了不同的技术发展趋势及其对整个 RF GaN 市场及相关厂商的                                        出版社   Publishing House
                 潜在影响，并提供了 RF GaN 在各个新的应用领域的市场规模预测。                                             雅时国际商讯   ACT International
                     Yole 预计电信和国防应用将成为 RF GaN 产业的重要支柱。就电信市场而                                       香港九龙  B,13/F, Por Yen Bldg,
                 言，得益于 5G 网络应用的日益临近，将从 2018 年开始为 GaN 器件带来巨大的                                长沙湾青山道478号  478 Castle Peak Road,
                                                                                                   百欣大厦   Cheung Sha Wan,
                 市场机遇。相比现有的硅 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和 GaAs
                                                                                                    13楼B室   Kowloon, Hong Kong
                 解决方案，GaN 器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。而且，
                                                                                                 Tel: (852) 2838 6298
                 GaN 的宽带性能也是实现多频带载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaN                                           Fax: (852) 2838 2766
                 HEMT 已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。由于 LDMOS 无法再支持更
                 高的频率，GaAs 也不再是高功率应用的最优方案，Yole 预计未来大部分 6GHz                                           北京   Beijing
                                                                                                Tel/Fax: 86 10 64187252
                 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件。
                                                                                                      上海   Shanghai
                     目前，RF GaN 技术正在发展成为 RF 主流，主要的 IDM 公司有 Sumitomo,
                                                                                                 Tel: 86 21 62511200
                 Qorvo 和 Cree 等。未来代工厂可能会有更多的发展。相比传统硅工艺，GaN 技术
                                                                                                 Fax: 86 21 52410030
                 的外延工艺要重要得多，会影响其作用区域的品质，对器件的可靠性产生巨大影                                                  深圳   Shenzhen
                 响。这也是为什么目前市场领先的厂商都具备很强的外延工艺能力，并且为了维                                             Tel: 86 755 25988571
                 护技术秘密，都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。尽管如此，Fabless 设计厂                                        Fax: 86 755 25988567
                                                                                                      武汉   Wuhan
                 商通过和代工合作伙伴的合作，发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系
                                                                                                 Tel: 86 27 59233884
                 以及销售渠道，NXP 和 Ampleon 等领先厂商或将改变市场竞争格局。当然，GaN
                 晶体管的价格现在依然比较高，Yole 认为，未来随着越来越多的厂商参与，会使                                              UK Office
                 产量增加，价格下降。                                                                        Angel Business
                     GaN 的封装也非常重要，封装方面的努力也能将价格降低到更有吸引力的水                                         Communications Ltd.
                                                                                                    6 Bow Court,
                 平。很多厂商现在选择塑料封装，业界已经出现了一些新型封装材料和新的管芯
                                                                                                  Fletchworth Gate,
                 连接方法。比如，MACOM 和 Sumitomo 已经开始采用银烧结作为管芯连接材料，
                                                                                                Burnsall Road, Coventry,
                 这有助于热控制，并能提高器件质量。而且已经确认下一步将会使用纯铜作为封
                                                                                                    CV56SP, UK
                 装的法兰材料。                                                                        Tel: +44 (0)1923 690200
                     目前市场上存在两种技术的竞争 ：GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）和 GaN-                                  Chief Operating Officer
                 on-Silicon（硅上氮化镓）。它们采用了不同材料的衬底，但是具有相似的特性。                                        Stephen Whitehurst
                                                                                            stephen.whitehurst@angelbc.com
                 理论上，GaN-on-SiC 具有更好的性能，而且目前大多数厂商都采用了该技术方案。
                                                                                                Tel: +44 (0)2476 718970
                 不过，MACOM 等厂商则在极力推动 GaN-on-Silicon 技术的广泛应用。未来谁将
                 主导还言之过早，目前来看，GaN-on-Silicon 仍是 GaN-on-SiC 解决方案的有力挑
                 战者。


                                                                              赵雪芹



                                                                                                  © 2018 版权所有  翻印必究
                2    化合物半导体 2018年第2期                                                       www.compoundsemiconductorchina.net
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