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业界动态

所有的驱动电子器件。这将是全新的芯片 ；单芯 入，他准备开发基于其磁 HEMT 概念的分立传感
片 GaAs 霍尔效应传感器现在根本就不存在。” 器。
驱动电子器件也将基于 GaAs，这意味着整 他说 ：“我们的目标一直是开发一种可与现
个芯片将具有更强的抗辐射性能，而且工作温度 有 HEMT 技术完全兼容的传感器。我们无需不同
范围将比现有器件的更宽。其实，在温度范围方 的原料配制或额外的工艺步骤，但是器件布局不
面，Missous 的目标是用单颗芯片覆盖 -200℃至 同于 HEMT，因而使器件对于磁场具有很好的灵
200℃，而如今的硅器件所覆盖的温度范围则仅为 敏度。”

-50℃ 至 150℃。 极为重要的是，基于 GaAs 的传感器能在最
现在，AHS 正与业界伙伴 TWI 和 Renishaw 高 220℃的温度条件下运行，而基于 GaN HEMT
公司配合工作，以开发一种基于 GaAs-InGaAs- 的传感器则可在高达 400℃左右的温度环境中保

AlGaAs 层的通用结构。这一点应该会在明年 4 月 持自身的性能，正如 Igic 指出的那样，后者的制
得到确认，而到了之后的 11 月，封装器件的抽样 约因素是“合适封装和焊接工艺的开发进展情况”。
检验工作应在进行之中。 眼下，Igic 正致力于论证上述概念和优化器
Missous 说 ：“我们希望生产可在较高温度范 件布局，他希望这些工作可在未来的 12 个月内顺
围内工作的通用 IC，而一旦我们实现了这一目标， 利完成。在此之后，他将着眼于针对具体应用定
TWI 和 Renishaw 将测试器件并就其性能提供反 制器件，而且还将与封装公司进行合作。
馈意见。我们依靠这些合作公司来做这件事，这 显然，CS-MAGIC 研发项目基于 GaAs 的霍
样我们就能根据他们的任何需要定制芯片。” 尔传感器比第二种基于 GaN 的器件更接近于商品
他补充说 ：“我们不希望制作非常复杂的电 化。但是，GaN 在严酷环境中的潜在性能提升是
路，但是我们必需确保所有的电子器件与传感器 无可争辩的。
保持同步。该电路将在非常宽广的温度范围内工 据 Igic 称，初步研究结果显示 ：基于 GaN 的
作，并不会因此损失任何灵敏度或功能性。” 传感器能够检测低至 100 nT 的磁场。更重要的是，
器件灵敏度将不会随着磁场和高温而发生改变。
更上一层楼 Igic 强调指出 ：“我们无法在价格上胜过硅
与此同时，在 CS-MAGIC 项目的第二个组 材料，但是 GaN 器件将进入航空航天和汽车应用
成部分中，来自斯旺西大学电子系统设计中心的 领域，因为它可在非常高的温度条件下工作，并
Petar Igic 正在从事的开发工作可被描述为基于 且较少受到辐射的影响。我们将必须采用标准制
GaN 的下一波磁传感技术。 造工艺来生产此类器件，但是其独特的卖点是 ：
Igic 已经制作出了面向电源应用的 GaN 当 GaAs 器件停止工作时，GaN 器件仍在继续运
HEMT，不过现在借助 InnovateUK 的最新资金投 行。”

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化合物半导体 2018年第2期 2018年第2期