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                 业界动态









                                  终极磁传感器即将问世?







                                  英 国 的 一 个 新 的 研 究 项 目 CS-MAGIC(Compound Semiconductor MAGnetic
                                  Integrated Circuits,化合物半导体磁集成电路)很有可能会使宽带隙磁场传感器成为
                                  商业瞩目的焦点。 ——Rebecca Pool 报道







                                      017 年底,英国硅晶圆企业 IQE  与卡迪夫                度低、工作频率和温度范围有限,以及功耗高等
                                  2大学 的合资公 司 Compound Semiconductor           不利因素之苦。因此,从他的角度考虑,Missous
                                  Centre(CSC, 化合物半导体中心)获得了略多于                 一直在开发基于 GaAs-InGaAs-AlGaAs 系统的量
                                  35 万英镑的英国政府资金,用以开发具有基于                      子阱霍尔集成电路,而且还创立了位于英国的

                                  GaAs 和 GaN 材料的集成化电子器件的超灵敏磁                  Advanced Hall Sensors(AHS)公司,旨在将其
                                  传感器。                                        2DEG 霍尔传感器推向市场。
                                      新的 CS-MAGIC 项目获得 InnovateUK(创新              器件制造采用的是分子束外延(MBE)技术,
                                  英国)经费奖励的时点正值业界分析人士预计磁                       以把薄膜沉积在 GaAs 晶圆片上,接着通过后续
                                  场传感器领域即将迎来惊人成长之际。据市场研                       的光刻、蚀刻、退火和金属蒸镀步骤,以及最后
                                  究咨询公司 Markets and Markets 预测,到 2023 年, 的晶圆切片和封装工序加工成霍尔传感器。
                                  磁场传感器的全球市场规模将从目前的 30 亿美元                        至关重要的是,量子阱是通过在两个较厚的
                                  快速增长至 50 亿美元,复合年增长率 (CAGR) 达                AlGaAs 层之间插入一层 InGaAs 薄膜生成的。形
                                  8.8%。与此相似,市场研究公司 Technavio 预测的              式为二维气体(即 2DEG)的电子被限制在这个

                                  CAGR(从现在到 2020 年)为 10%。                     较薄的层之内,而不是像在传统霍尔效应传感器
                                      现今,磁传感器的需求在很大程度上来自于                     中那样被置于“自由漫游”的状态,从而增强了
                                  汽车行业,该行业需要高度灵敏、坚固的霍尔效                       电子特性。
                                  应传感器,以在引擎控制管理、防抱死制动系统                           的确,基于硅的线性霍尔集成电路能够在 10
                                  等汽车单元中较宽的温度范围内映射越来越小的                       Hz 带宽中检测低至 600 毫微特斯拉(nT)的磁场。
                                  磁场。不过,航空航天和工业领域日益需要使用                       但是,AHS 已经生产了基于 GaAs 的量子阱霍尔
                                  传感器来测量旋转、速度和线性位置。                           2DEG 器件,该器件能在 10 Hz 带宽中检测低至
                                      正如英国曼彻斯特大学半导体器件和材料                      177 nT 的磁场。而且,先前的器件具有 10 kHz 的
                                  专业教授、InnovateUK  奖励经费获得者之一                  最大截止频率,而宽带隙器件版本则把该数字延
                                  Mohamed Missous 所说 :“如今,我们正在开发的             伸至 200 kHz。
                                  传感器所面对的工作环境比以往任何时候都更加                           迄今,AHS 已经出货超过 1500 万颗分立传
                                  严苛。”                                        感器,不过,由于获得了英国政府的最新资助,
                                      他补充道 :“目前市场有售的硅霍尔效应集                    Missous 和他的公司现在打算实现单芯片传感器
                                  成电路,当温度达到 150℃ 时,它们就停止工作, 的商品化,这种传感器具有较宽的动态范围,可
                                  因此采用 III-V 族半导体材料制成的器件引起了                   在更加严酷的环境中工作。
                                  人们的极大兴趣和关注。”                                    这位研究者介绍说 :“我们的全集成化芯片
                                      而且,基于硅的传统器件还会饱受磁场灵敏                     将是单芯片,其内置了量子阱霍尔效应传感器和



                4 4  化合物半导体                                                                www.compoundsemiconductorchina.net.compoundsemiconductorchina.net
                                                                                           www
                     化合物半导体 2018年第2期 2018年第2期
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