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Transphorm推出第二款900 V场效应晶体管

     

Transphorm 利用第二款场效应晶体管加强900 V GaN产品阵容

全新第三代硅基氮化镓场效应晶体管可为广泛的三相工业电源应用和汽车用转换器提供支持

()--(美国商业资讯)--最高可靠性高电压(HV)氮化镓(GaN)半导体设计和制造领域的领导者Transphorm Inc.今日推出其第二款900 V场效应晶体管,即第三代TP90H050WS,从而增强了行业中唯一的900 V GaN产品系列。目前,这些器件使得三相工业系统和较高电压的汽车电子元器件能够充分利用氮化镓的速度、效率和功率密度。而且,该新场效应晶体管平台基于Transphorm上一代650伏产品,业界唯一一款同时通过JEDEC和AEC-Q101认证的HV GaN产品。因此,系统开发人员在设计时可对其质量和可靠性充满信心。

 

TP90H050WS在1000伏的瞬态额定值下具备50兆欧的典型导通电阻,并采用标准的TO-247封装。TP90H050WS在典型半桥结构下可达到8千瓦的功率等级,同时保持效率可高达99%以上。其品质因数Ron*Qoss(谐振开关拓扑)与Ron*Qrr(硬开关电桥拓扑)比常见超结技术产品的品质因数低二至五倍,这意味着开关损耗将大大降低。虽然通过JEDEC认证的版本预计于2020年第一季度推出,而客户如今便能够设计出900 V GaN电源系统。

Transphorm的首个900伏器件 TP90H180PS具有170兆欧的典型导通电阻,采用TO-220封装,通过JEDEC认证,自2017年以来通过得捷电子(Digi-Key)进行产品供应。该产品的峰值效率可达到99%,证明其适用于3.5千瓦的单相逆变器。

在新高压应用中确定氮化镓的可行性

Transphorm联合创始人兼首席运营官Primit Parikh表示:“Transphorm最新900 V 氮化镓产品标志着商用氮化镓功率晶体管的一个重要里程碑,因为它率先在业界达到了1千伏特的目标。这为推动氮化镓产品在这些高压节点中成为一种可行的方案创造了条件。美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)提供了部分资金,成功降低了早期阶段的风险,同时Power America在最初产品认证方面提供了帮助,这一举措体现了公私合作所取得的巨大成功,加快了氮化镓的市场普及进程。”

Transphorm 900V氮化镓平台为已成为公司650伏场效应晶体管的目标应用场合的各类系统提供更高水平的击穿电压,例如可再生能源、汽车及各种广泛的工业应用。该平台适用于采用DC-DC转换器及逆变器中常用的无桥式图腾柱功率因数校正(PFC)半桥式配置进行部署。在高压下支持这些拓扑的能力扩大了Transphorm的目标应用,目前涵盖不间断电源和高电瓶电压节点下的汽车充电器或转换器等一系列广泛的三相工业应用。

PowerAmerica为该项目提供部分资金,其副执行董事兼首席技术官Victor Veliadis表示:“900 V氮化镓功率器件打破了目前不支持氮化镓半导体应用的技术壁垒。凭借诸如900 V氮化镓平台之类的创新技术,Transphorm正推动该行业不断进步并创造了大量新的客户机会。”

TP90H050WS除具有如前所述的差异化特性之外,还具备以下优点:

  • 可使用现有的驱动器轻松驱动
  • 可靠的栅极安全裕度
  • 功率密度高于现有的硅技术
  • 性能超越IGBT、超结技术
  • 降低了系统总成本
  • 减轻系统重量

供货

目前处于样品提供阶段。欲订购零部件,请访问TP90H050WS产品页面

设计资源

关于Transphorm

Transphorm致力于设计并制造最高性能、最高可靠性的650伏与900伏氮化镓半导体。公司拥有1000多项专利,生产业界唯一同时通过JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。


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