技术文章
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基于半导体应变工程的下一代芯片 2021-7-22
国际团队展示了卷积神经网络架构如何指导弹性应变工程工作
串联提升太阳能水解 2021-7-21
科学家将两种很有前途的光催化剂结合起来,在水分解电池中获得更高的太阳能到氢气的转换效率和耐久性
微波等离子 CVD 可以生产出高质量的 AlN 2021-7-20
高温微波等离子体 CVD 导致结晶 AlN 的无氨生长
LED 或 OLED光照:睡觉前哪一个更好? 2021-7-19
日本科学家发现睡前暴露在蓝光较少的光线下更有利于能量代谢
瑞士研究小组为 2D 半导体增加了超导触点 2021-7-14
巴塞尔大学的研究人员表示,组合可能会产生新的量子现象并在量子技术中得到应用
交替的 V/III 比超晶格可实现高质量的 AlN 生长 2021-7-13
武汉大学研究人员用新的应变弛豫方法改变位错行为
简化 GaN 中低水平 P 型掺杂的测量 2021-7-12
在低温下获得的光致发光光谱揭示了 GaN 中的 p 掺杂水平
第一个可扩展的单芯片集成激光器和微梳 2021-7-7
加州大学圣巴巴拉分校团队宣布激光突破
使胶体量子点更加均匀 2021-7-6
韩国科学家证明了钙钛矿胶体量子点的光电性能与尺寸均匀性之间的关系
回收新一代太阳能电池板 2021-7-5
将破旧的太阳能电池板扔进垃圾填埋场可能很快就会成为电子垃圾的历史
粉末工程可以提高钙钛矿的稳定性 2021-7-1
冲绳研究所的科学家将注意力转向钙钛矿太阳能电池吸收层
具有超快开关速度的钙钛矿存储器件 2021-6-30
韩国研究人员开发出开关速度为 20 ns 的电阻开关存储器
AlN衬底显示出对GaN-HEMTs的巨大应用前景 2021-6-29
自支撑AlN 衬底有可能生产破纪录的 X 波段 HEMTs
改变二维半导体对称性可以释放它的希望 2021-6-28
Rensselaer 小组展示了如何利用柔印光伏效应来设计新颖和/或高效的光电器件
超薄纳米晶层红外成像 2021-6-25
研究人员展示了使用超薄透明 GaAs 纳米晶体将红外图像转换为可见光
低压 GaN 设计实现紧凑型三相电机逆变器集成电路 2021-6-24
Fraunhofer IAF 的科学家们展示了用于低压应用的基于 GaN 芯片的开创性集成概念
对钙钛矿性能的更多见解 2021-6-23
研究人员发现“晶粒内平面缺陷”的性质和密度的变化与太阳能电池性能的变化相关
日用深紫外光源消毒更近一步 2021-6-22
日本研究人员用高反射率分布布拉格反射器构造GaN光学微腔,使入射光的频率增加一倍
调整有机能隙 2021-6-21
德国研究人员开发了一种新的有机半导体带隙工程方法
原子交换使钙钛矿 LED 更亮 2021-6-16
将千分之一的铅原子换成锰,可使卤化物钙钛矿量子点的发光增加三倍
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