技术文章
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在一项最近发表的研究中，西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心的研究人员利用强极化薄势垒AlN/GaN异质结构和远程等离子体辅助热氧化法制备了增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)，实现了低... 将透明导电氧化物引入深紫外 2022-12-4
在透明导电氧化物（TCO）领域，铟锡氧化物（ITO）是一种富含In2O3和SnO2的化合物，长期以来一直占据着主导的地位：它价格低廉，易于沉积成薄膜，在波长超过350 nm时提供90%的透过率，与标准的制造... 3C-SiC增强GaN HEMT 2022-12-2
对于功率和RF应用的GaN HEMT的生产，硅衬底有其优点和缺点。它主要基于大型、低成本和广泛可用的平台，但它受到与外延层的显著热和晶格失配的影响，会导致高密度的位错和裂纹，影响器件性能、可靠... 通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的... 2022-12-1
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳... 住友电气开发“后5G”GaN HEMT 2022-12-1
住友电气开发了一种GaN HEMT，采用N极性GaN，栅极绝缘层采用世界上第一种铪（Hf）基高耐热高介电材料，将目光投向将实现更大的容量和高速通信的后5G时代。 AR眼镜中的显示技术：虚拟超脱想象之外，包罗万象... 2022-11-30
近几年，元宇宙如一阵热风，吹起了无数人对于“科技、梦幻与未来”的想象。随着“元宇宙”的火爆，作为其硬件载体的AR、VR设备成为了科技创新的重要领域之一。AR增强现实（Augmented Reality，简... 在GaN中实现注入 2022-11-30
直到最近，从事氮化镓工作的工程师工具箱中有一个明显的遗漏：没有离子注入工艺。但由于美国和波兰的一个团队开发了一种涉及镁掺杂剂超高压退火的工艺，这一问题现在已经得到了解决。 让PICs腾飞 2022-11-23
我们这个时代最强大的技术之一是光子集成电路 (photonic integrated circuit ，PIC)。通过在单个芯片上集成所有必需的功能，PIC 在系统级显著地降低了成本、尺寸和重量，同时提高了性能、稳定性和... 利用3D单像素成像技术监测甲烷 2022-11-22
多像素传感器在商业上取得了巨大的成功。在低成本和大规模生产的帮助下，它们正受益于技术上的“锁定”，以及难以逃脱的依赖。支撑这种成像技术，特别是数字成像技术迅速崛起的是单像素探测器。 用多孔GaN基microLEDs简化显示器 2022-11-21
在我们的一生中，显示器一直在不断演变。我们中的许多人已经见证了从基于阴极射线管的电视向以液晶显示的电视转变，最初的背光是冷阴极荧光灯，而现在是发光二极管（LED）。在接下来的几年里，我... 基于铝自发氧化法的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体... 2022-11-21
在一项最近发表的研究中，广东省科学院半导体所的研究人员采用铝自发氧化法制备了基于低成本Cu/Al叠层源漏电极的高性能肖特基势垒IGZO薄膜晶体管（TFT），并实现肖特基势垒IGZO TFT开启电流的大幅... 基于转印的高性能垂直Micro-LED微显示器 2022-11-18
微尺寸发光二极管 (Micro-LED) 因其在高分辨率显示器、可穿戴设备和 VR/AR头盔中的潜在应用而引起了广泛的关注。然而，它们的器件性能会受限于传统侧向结构Micro-LED，其两个电极往往处于 p-GaN ... 共掺杂有望实现超高效的白色Ga2O3 LEDs 2022-11-17
今天的白光LED虽然取得了巨大的成功。但巨大成功不应掩盖其弱点。它们常见的结构是将黄色荧光粉与蓝色发光芯片结合在一起，导致了一些缺点，包括低的显色指数，斯托克斯能量转换损失和低的热稳定... MEMS也可以用来监测地震 2022-11-15
由日本气象厅(JMA)管理的覆盖全国的EEW系统[2]从2006年开始运行。地震台网由1000个间隔20至25公里的地震台组成。在2011年日本东北9.1级地震之后，日本气象厅收集了关于EEW系统的反馈：人们对地震... 改进晶圆制造工艺，探索蚀刻终点的全光谱等离子监... 2022-11-11
满足当今技术创新的繁荣发展和复杂多变的产业环境，半导体代工厂需要定量、准确和高速的过程测量。海洋光学(Ocean Insight)与等离子蚀刻技术的领先创新者合作，探索适用于检测关键晶圆蚀刻终点的... 庖丁解牛看功率器件双脉冲测试平台 2022-11-9
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节，测试... 罗姆肖特基二极管白皮书助力汽车、工业和消费电子... 2022-11-7
近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电... 基于铝自发氧化法的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体... 2022-11-4
在一项最近发表的研究中，广东省科学院半导体所的研究人员采用锚点制备了基于低成本Cu/Al叠层源漏电极的高性能肖特基势垒IGZO薄膜晶体管（TFT），并实现肖特基势垒IGZO TFT开启电流的大幅度调控。... 使用TI功能安全栅极驱动器提高SiC牵引逆变器的效率... 2022-11-1
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率... GaN：通往完美E模式 HEMT 的桥梁 2022-10-31
GaN正开始通过提供更高的效率和小型化来彻底改变功率系统。其宽禁带和高饱和电子漂移速率使其在Baliga品质因数方面脱颖而出，进而使由该材料制成的功率器件能够阻挡高电压、实现高频开关、可在高...
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