技术文章
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用于冰光刻技术的80K低温实验台 2024-2-20
金竟科技公司自主研发的超低温冷台可实现IL(冰光刻)功能,且其性能优于该文提到的所设计低温冷台的性能。
简化SiC衬底生产 2024-2-19
一种突破性工具可在生产标准碳化硅晶碇时实现高精度
拓展深紫外LED的应用领域 2024-2-18
深紫外LED在医疗保健领域的应用正在取得巨大进展,并且在UVC和远UVC的输出功率、效率和寿命方面均有所提高
制造性能更好的蓝色和绿色激光器 2024-2-1
日亚化学(Nichia)成立于1956年,总部位于日本阿南市,是一家知名的化学材料、LED和激光二极管制造商。
SiC功率模块的液冷散热设计与节能分析 2024-1-25
为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果,设计了串联、并联与串并联三种冷板流道结构, 从器件温升、系统能效、散热性能三个方面共计10项指标评估了冷板性能
消除应用GaN的障碍 2024-1-22
随着 GaN 性能优势的确立以及 GaN HEMT 挑战的克服,现在是时候解决设计人员最关心的问题了,如价格、可用性和可靠性等
在氧化镓蚀刻方面表现突出 2024-1-17
随着快速发展,目前Ga2O3已经开始影响功率器件市场。由于从熔体中有机会制造出高质量的块状衬底,该类超宽禁带半导体可以以极具竞争力的成本实现器件的卓越性能。
化合物半导体材料的表征分析 2024-1-2
与当前市场上成熟且广泛应用的硅基半导体不同,化合物半导体是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同样来源于第四族 (Group IV) 的两个及以上元素组成的化合物。
全球首次采用垂直布里奇曼法(VB)成功制备6英寸β... 2023-12-26
全球首次采用垂直布里奇曼法(VB)成功制备6英寸β型氧化镓单晶
辉煌的栅极氧化物 2023-12-25
人们是否应该担心负栅压应力下 SiC 功率 MOSFET 的栅极氧化物的寿命?绝对不,现在实验表明,它们与在正栅极应力下的寿命一样长
拥护真正的重量级材料:释放Ga2O3的希望 2023-12-19
由于具有令人难以置信的禁带宽度、浅的施主能级,并且可以通过熔体法进行生长,Ga2O3 成为有史以来最有希望的电力电子器件材料。
电子束辐射导致的氮化硅降解及其对半导体失效分析... 2023-11-28
文章重点探讨了电子辐射对硅基氮化物的物理结构和材料成分影响,以及电子辐射对半导体芯片失效分析的潜在影响。
提高4.5kV IGBT模块的功率密度 2023-11-21
2020 年,三菱电机宣布推出额定电压3.3kV的HV100功率模块[1],采用X系列芯片组。如图1所示,HV100封装易于并联,换流杂散电感低,绝缘电压为10.2kV,具有很高的灵活性。该封装设计初衷是为了满足...
甲脒基光伏钙钛矿电池结晶新策略 2023-10-24
如果说能源利用问题是一场赛跑,那么太阳能电池效率就像是百米飞人大战,小数点后的每一个数字,都是科学家争夺的焦点。一直致力于新型钙钛矿太阳能电池研究的西湖大学团队,又一次在小数点后实现...
国家的财富:英国的国家外延设施 2023-9-27
英国国家外延设施的主任Jon Heffernan讨论了该设施的职权范围、它的专业性以及它对化合物半导体材料和器件研发的贡献。
半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展... 2023-9-27
近日,新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作,利用施主-受主对(DAP)模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子(...
碳化硅同质外延层厚度无损红外反射光谱法分析 2023-9-27
碳化硅(SiC)已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一,由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势,特别是对于大功率半导体器件,碳化硅优于传统硅,更受青睐。而碳化硅(SiC)...
SiC MOSFET驱动负压关断的典型电路 2023-9-25
SiC MOSFET驱动负压关断模式在很多应用场景中会影响器件开关的可靠性。跟Si功率器件比较,SiC MOSFET开关速度较快、dv/dt高,容易造成栅极串扰。
下一代碳化硅沟槽器件技术 2023-9-19
九峰山实验室聚焦于下一代SiC 沟槽器件领域的研究,集中资源开发了SiC 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺,形成了自主可控的成套工艺技术。接下来,本文将围绕下一...
硅基化合物异质集成技术 2023-9-11
硅基半导体作为现代微电子产业的基石,其遵循摩尔定律在集成电路中的发展已接近物理极限。
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