行业新闻
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上海微系统所在硅基磷化铟异质集成片上光源方面取... 2024-3-15
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。
上海微系统所在八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术方面... 2024-3-15
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室蔡艳研究员、欧欣研究员联合团队,在通讯波段硅基铌酸锂异质集成电光调制器方面取得了重要进展。
带有扭曲的外延 2024-3-15
美国能源部团队发现,夹在两片衬底之间的晶体会发生扭曲
燧原科技华东总部、国产高端智算中心项目签约无锡... 2024-3-14
近日,燧原科技华东总部暨国产高端智算中心战略合作签约仪式在无锡高新区举行。
武汉大学联合小米成立机器人系 2024-3-14
近日,武汉大学宣布成立机器人系。
JEDEC发布GaN功率转换器件反向偏压可靠性评估指南... 2024-3-13
JEDEC固态技术协会(为微电子行业制定标准)发布了《JEP198:氮化镓功率转换器件反向偏压可靠性评估程序指南》。
用有机电子器件感知光 2024-3-13
在《先进材料》(Advanced Materials)近期发表的一项研究中,大阪大学科学与工业研究所(SANKEN)的研究人员在超薄柔性薄片上开发出一款光学传感器,这款光学传感器可以弯曲却不会断裂。
收藏!第十八届慕尼黑上海光博会展商名单 2024-3-12
慕尼黑上海光博会即将在2024年3月20-22日登陆上海新国际博览中心W1-W5、OW6、OW7、OW8馆召开!
中国团队成功研发65000通道脑机接口芯片 2024-3-12
3月8日,十四届全国人大二次会议第二场“代表通道”集中采访活动在北京人民大会堂举行。 
Marvell 美满电子宣布与台积电合作,开发 2nm 芯片... 2024-3-12
据 Marvell 美满电子官方新闻稿,美满电子正在扩大与台积电的合作,开发业界首款针对加速基础设施优化的 2nm 芯片生产平台。
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外... 2024-3-11
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员、杨静副研究员长期聚焦于GaN基光电子材料与器件研究。
除碳可提高GaN电子迁移率 2024-3-11
据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性能创下新高 [Shota Kaneki et al, Appl. Phys. Lett., v124, p012105, 2024]。
光谷实验室攻克成像芯片新技术,成本降至传统方式... 2024-3-8
日前,光谷实验室宣布,其科研团队研发的胶体量子点成像芯片已实现短波红外成像,面阵规模30万、盲元率低于6‰、波长范围0.4-1.7微米、暗电流密度小于50nA/cm2、外量子效率高于60%,性能优越。
研究人员为氧化镓开发无损蚀刻工艺 2024-3-8
氧化镓是一种新兴的超宽带隙半导体,在电力电子领域具有巨大潜力。
意大利正在海上建造一个大型混合浮动太阳能-浮动风... 2024-3-7
意大利南部海岸爱奥尼亚海将开发一座 540 兆瓦 ( MW ) 混合浮动太阳能 - 浮动风电场。
高反射率电极可提高深紫外LED的效率 2024-3-7
武汉大学研究人员报告了一种具有热稳定性、高反射率的Ni/Rh/Ni/Au p型电极,用于提高275 nm深紫外倒装芯片LED(DUV FCLEDs)的效率。
江苏苏州:按照“宜建尽建”原则积极开展光伏建筑... 2024-3-6
近日,苏州市住房和城乡建设局、苏州市发展和改革委员会、苏州市科学技术局、苏州市工业和信息化局、国网江苏省电力有限公司苏州供电分公司等五部门联合下发《关于印发《关于推进光伏建筑一体化发...
实现垂直深紫外激光器 2024-3-6
日本工程师称已在深紫外半导体激光器上取得新突破,其几何结构是垂直的,而不是水平的。
亿华通首套PEM电解水制氢示范顺利产氢 2024-3-5
近日,亿华通首个具有自主知识产权的PEM电解水制氢设备在新疆伊宁完成安装调试,成功产出氢气。
用于650V GaN-on-Si集成电路的虚拟体概念 2024-3-5
IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)于12月举行,会上北京大学提出一种新的虚拟体概念,用于屏蔽p栅极氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(VB-HEMTs)集成电路(IC),使其免受硅衬底引起的串扰影响...
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