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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

     

英飞凌OptiMOS™ 35同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装与先前型号相比具有更高的功率密度和稳健性从而降低系统成本提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。

 

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。

 

这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率,或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外,随着额定温度的增加,安全工作区域(SAO)亦改善了20%

 

这些BiC MOSFET具有出色的性能数据,非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列包括60V250V型款。

 

客户可以在儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn 上找到有关英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列的更多信息,还可以直接下订单: https://www.rutronik24.com.cn/search-result/nojs:1337/qs:TMOS2541%20TMOS2542/reset:0


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