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ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET

     

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开6款沟槽栅结※1SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列品(650V/1200V耐),非常适用于要求高效率的服器用源、太阳能逆器及电动的充站等。

 

此次新开发的系列采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动ROHM栅极驱动IC(BM6101FV-C)、各种IC及分立产品,可提供行元器件估的解决方案。

本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量品价格2,100日元起,不含税)。生产基地ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福。此外,本系列产品和估板已于2019年9月起开始网售,可从AMEYA360、icHub购买

 

近年来,随着AI和IoT的展与普及,云服的需求日益增加,与此同,在全球范围对数据中心的需求也随之增。数据中心所使用的服器正在向大容量、高性能方向展,而如何降低功耗量就成一个亟需解决的课题。另一方面,以往服器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关耗,因此有望用于服器、基站、太阳能发电等高用中。

2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅SiC MOSFET的量产,并一直致力于先于行开发。此次新开650V/1200V耐的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续进创新型元器件的开,同提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗献力量。

 

 

<特点>

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关耗降低35

在传统3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的感分量※2会引起栅极电压下降,并致开关速度延

此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善耗。与以往产品相比,耗和关断耗合起来预计可降低约35%的损耗。

<产容>

SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。

<应用>

服务器、基站、太阳能逆器、蓄电动的充等。

 

<评估板信息>

SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动ROHM栅极驱动IC(BM6101FV-C)、各种IC及分立产品,可行元器件的估。为了提供在同一条件下的评境,该评估板不仅可以TO-247-4L封装的产品,可安装并TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可行双脉冲测试Boost电路、两平逆器、同步整流型Buck电路等估。

开始销时间    20199月

估板型号 P02SCT3040KR-EVK-001

网售平台   AMEYA360、icHub

支持页          https://www.rohm.com.cn/power-device-support

估板的构成

 

 

 

<术语

※1 沟槽栅结

沟槽(Trench)意凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其壁形成MOSFET栅极的构。不存在平面型MOSFET构上存在的JFET阻,比平面构更容易实现化,有望实现接近SiC材料原本性能的阻。

 

※2 电感分量

表示电磁感应产生的电动势大小的量。

ROHM采用4引脚封装的SiC MOSFETSCT3xxx xR系列

 

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开6款沟槽栅结※1SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列品(650V/1200V耐),非常适用于要求高效率的服器用源、太阳能逆器及电动的充站等。

 

 

此次新开发的系列采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动ROHM栅极驱动IC(BM6101FV-C)、各种IC及分立产品,可提供行元器件估的解决方案。

本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量品价格2,100日元起,不含税)。生产基地ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福。此外,本系列产品和估板已于2019年9月起开始网售,可从AMEYA360、icHub购买

 

近年来,随着AI和IoT的展与普及,云服的需求日益增加,与此同,在全球范围对数据中心的需求也随之增。数据中心所使用的服器正在向大容量、高性能方向展,而如何降低功耗量就成一个亟需解决的课题。另一方面,以往服器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关耗,因此有望用于服器、基站、太阳能发电等高用中。

2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅SiC MOSFET的量产,并一直致力于先于行开发。此次新开650V/1200V耐的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续进创新型元器件的开,同提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗献力量。

 

 

 

 

<特点>

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关耗降低35

在传统3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的感分量※2会引起栅极电压下降,并致开关速度延

此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善耗。与以往产品相比,耗和关断耗合起来预计可降低约35%的损耗。

 

 

 

<产容>

SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。

<应用>

服务器、基站、太阳能逆器、蓄电动的充等。

 

<评估板信息>

SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动ROHM栅极驱动IC(BM6101FV-C)、各种IC及分立产品,可行元器件的估。为了提供在同一条件下的评境,该评估板不仅可以TO-247-4L封装的产品,可安装并TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可行双脉冲测试Boost电路、两平逆器、同步整流型Buck电路等估。

开始销时间    20199月

估板型号 P02SCT3040KR-EVK-001

网售平台   AMEYA360、icHub

支持页          https://www.rohm.com.cn/power-device-support

估板的构成

 

 

 

<术语

※1 沟槽栅结

沟槽(Trench)意凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其壁形成MOSFET栅极的构。不存在平面型MOSFET构上存在的JFET阻,比平面构更容易实现化,有望实现接近SiC材料原本性能的阻。

 

※2 电感分量

表示电磁感应产生的电动势大小的量。


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