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GaN功率器件以78%的复合年增长率增长

      材料来源:化合物半导体

 

 

TrendForce表示,欧洲、美国和日本控制着快速增长的GaN市场的大部分衬底供应


对电信基站、转换器和充电站的需求正在创造对由第三代半导体GaN和SiC驱动的元件和器件的需求。

 

据TrendForce称,GaN电源市场将经历最大幅度的增长,2021年的收入将达到 8300万美元,同比增长73%,令人印象深刻。展望未来,GaN功率器件的年收入预计将以78%的复合年增长率增长,并在2025年达到8.5亿美元。

 

消费电子、新能源汽车和电信/数据中心是GaN功率器件消耗的三大来源,分别占60%、20%和15%。

 

TrendForce发现,约有十家智能手机OEM厂商发布了超过18款配备快充功能的智能手机,而笔记本厂商也表示愿意为笔记本电脑采用快充。

 

另一方面,SiC年收入预计将以38%的复合年增长率增长,并在2025年达到33.9亿美元,其中新能源汽车、太阳能发电/存储和充电站是SiC功率器件消费的三大来源,分别占61%、13%和9%。特别是对于新能源汽车行业,SiC功率器件最广泛地应用于动力系统逆变器、OBC(车载充电器)和DC-DC转换器。

 

欧美日IDM控制衬底供应


由于外延生长相对困难,加之业界主流正从6英寸衬底转向8英寸衬底,第三代半导体GaN和SiC衬底的制造成本是传统8英寸和12 英寸硅衬底的5-20倍。

 

目前,大多数衬底材料被主要的IDM控制,如美国的Cree和II-VI、日本的Rohm 和欧洲的STMicroelectronics。对此,SICC、Tankeblue等部分中国供应商,在中国“十四五”规划的支持下陆续进入了衬底市场,旨在加速实现中国半导体自给自足的目标。

 

虽然欧洲、美国和日本的衬底供应商在市场上先人一步,并且拥有相对成熟的工艺技术,但TrendForce认为台湾供应商仍然具有一定的竞争优势。

 

例如,台湾公司不仅在硅开发方面拥有丰富的经验,而且台湾还拥有完善的上下游硅供应链。除了上述优势之外,台湾还得到了促进国内材料供应、设计和技术发展政策的进一步帮助。因此,台湾可以实现其成为先进半导体制造中心的目标,其优势来自于逐渐成熟的前端衬底和外延产业链,以及芯片设计、制造和封装方面的中后端能力。

 

目前,以Hermes-Epitek(拥有子公司EPI和EPISIL)和SAS(拥有子公司GW、AWSC、CWT和ATC)为首的两大战略联盟正试图最大限度地在台湾缺乏的衬底行业中发力。此外,由KENMEC和TAINERGY共同出资的TAISIC已经提交了4英寸SiC衬底的鉴定,并正在积极投入6英寸SiC衬底的研发。

 

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