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博世将在三代半等芯片业务上投资 30 亿欧元

      材料来源:化合物半导体

碳化硅和氮化镓芯片是更广泛投资计划的重点

 

到2026年,博世计划在其半导体部门再投资30亿欧元,作为欧洲 IPCEI微电子和通信技术资助项目的一部分。

 

“微电子技术是未来,对博世所有业务领域的成功都至关重要。有了它,我们就掌握了通向未来移动性、物联网以及博世所谓的‘为生活而发明’的技术的万能钥匙。”博世董事会主席Stefan Hartung在德累斯顿举行的2022年博世技术日上说。

 

博世这项广泛投资计划的重点之一是生产SiC和GaN半导体。例如,在其罗伊特林根工厂,博世自2021年底以来一直在量产SiC芯片。

 

在市场强劲增长的背景下(SiC芯片以每年30%甚至更高的速度增长),对SiC芯片的需求量仍然很大,这意味着博世的订单已满。为了使这些电力电子产品更实惠、更高效,博世也在探索使用GaN。

 

“我们也在研究开发基于GaN的电动汽车应用芯片,”Hartung说,“这些芯片已经出现在笔记本电脑和智能手机充电器中。”

 

“在将它们用于车辆之前,它们必须变得更加坚固,并且能够承受大幅提高最高达1,200伏的高电压。像这样的挑战都是博世工程师工作的一部分。我们的优势在于,我们已经熟悉微电子很长一段时间了——我们也熟悉汽车。”

 

位于罗伊特林根的半导体中心正在系统地进行扩建。从现在到 2025 年,博世将投资约 4 亿欧元用于扩大制造能力,并将现有工厂空间转变为新的洁净室空间。这包括在罗伊特林根建造一个新的扩建项目,这将创造一个额外的 3,600 平方米的超现代洁净室空间。总而言之,到 2025 年底,罗伊特林根的洁净室空间将从目前的3.5万平方米左右增长到4.4万多平方米。

 

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