科锐推出用于碳化硅MOSFET功率器件的SPICE模型

科锐推出用于碳化硅MOSFET功率器件的SPICE模型

科锐SPICE模型帮助电力电子设计工程师量化仿真在电路系统设计中

碳化硅MOSFET所带来的效益

2012年2月21日，中国北京讯 — 碳化硅（SiC）功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。新型SPICE模型能够帮助电路设计人员轻松地进行效益评估。与同级别的传统硅功率开关器件相比，科锐碳化硅Z-FET™ MOSFET功率器件能够实现更高的效率。

科锐碳化硅MOSFET器件拥有与传统硅器件显著不同的特点，因此需要一个具有碳化硅特性的模型进行精确的电路仿真。基于科锐技术且不受温度影响的SPICE模型能够与LTspice仿真程序兼容，使得电力电子设计工程师能够在电路系统设计中可靠地仿真评估科锐CMF10120D 和CMF20120D Z-FET器件先进的开关性能。

科锐碳化硅MOSFET器件的开关频率较采用 IGBT 的解决方案可高出10倍。由于拥有更高的开关频率，便能够使用较小磁性和电容性的元件，从而可以减小电力电子系统的整体尺寸，降低重量和成本。

科锐碳化硅MOSFET SPICE模型作为科锐全套产品之一，与辅助工具、技术文件以及可靠性信息一起，为电力电子工程师提供必要的设计资源，从而推动碳化硅功率器件在新一代电源系统中的应用。

如需下载科锐碳化硅MOSEFT SPICE模型，敬请访问：www.cree.com/power/mosfet.asp。此外，客户也可通过以上网址下载产品说明、设计指导建议以及索取样品。如需进一步了解科锐碳化硅功率器件，敬请访问：www.cree.com/power。