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“中国智造”带来功率半导体新动力 中国国际功率半导体论坛2017为产业把脉

2017/10/25 9:50:14      材料来源:SEMI中国




“中国智造”时代正在一步步拉开帷幕,而在移动通讯、消费电子、新能源汽车、发电与配电等领域,功率半导体器件不可或缺,正发挥着越来越重要的作用。这将是未来功率半导体行业的新整张动力和发展机遇。



10月24日,SEMI中国在南京古南都饭店举办“中国国际功率半导体论坛2017”,重点探讨新型功率器件、宽禁带半导体GaN、SiC器件技术趋势及应用,以及核心设备、材料供应现状及发展趋势。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙在开幕致辞中以“千古龙蟠并虎踞,上尽层楼更上楼”两句诗词来形容这次会议的重要性、专业性和前瞻性。来自产业界的专家和企业资深人士汇聚一堂,在此共同开拓新的市场机遇,推动技术更上一层楼。



“下一波新的半导体成长是被新技术和应用所驱动的,而中国是目前全球最大并且占比还在持续增长的半导体市场。”居龙在随后的主题演讲《全球半导体产业发展趋势与机遇》中指出,半导体产业在过去的一年是非常乐观的一年,今年则是呈现爆发性成长。根据Gartner的预测数据,全球半导体预估产值2017年将突破4千亿美元。

居龙分别从当前全球半导体产业的驱动因素、半导体产业的产能分析、半导体材料市场情况及预估等各个层面详细分析的当前的产业发展现状及未来趋势。不过他也同时指出,中国虽然是目前全球最大的半导体市场,但中国半导体严重依赖进口,半导体是中国市场最大的进口产品且贸易逆差巨大。这也是为什么近年来中国政府开始大力推进半导体产业。他表示,半导体是一个全球化的产业,需要融入到全球的产业生态系统中,SEMI作为全球半导体产业协会,秉持“跨界全球,心芯相联”的理念,致力于为产业提供可持续性的发展,连接全球半导体产业供应链。



南京银茂微电子制造有限公司总经理庄伟东分享了《用于电动汽车的碳化硅模块的未来需求》的主题演讲。在电动汽车的应用中WBG功率器件,如碳化硅模块,正越来越受青睐。而由于目前大部分电动汽车的驱动逆变器的开关频率小于20kHz,因而更紧凑型、轻型、高运转温度、高性能的碳化硅模块将是未来应用于电动汽车驱动器的主力。



ALLOS Semiconductors CEO Burkhard Slischka发表了《发展GaN功率电子的正确战略思路(The Right Strategy for Developing GaN Power Electronics)》的主题演讲,他介绍,事实上早在过去的5到15年间,约有10家企业已经率先在这一新兴技术领域投入重金发展。那么现在的企业想要跟进这一市场,就面临一个问题:“发展GaN功率电子的正确战略思路是什么?” Burkhard Slischka表示,GaN-on-Si高功率电子的市场正在逐步落地,在HPE、RF以及Micro LED等领域,都已经用到GaN-on-Si技术。



瑞能半导体有限公司全球市场总监徐征在《致广大而尽精微》的主题演讲中,详细分析了全球功率半导体市场的分析和展望。他指出,功率器件是整个半导体行业的塔基,稳定性和可靠性是这一行业发展的根本。针对2017年中国大功率UPS市场,他指出,IDC 市场规模不断扩大,带动UPS 市场需求上涨。2016 年国内UPS 的市场规模达到68.4 亿元,同比上升20%,预计未来还会维持稳健增长。国内市场10KVA 以上的大功率UPS 销售额占比从2014 年的70%提升到2016 年上半年的76%,预计未来高毛利的大功率UPS 增速将显著高于行业。目前国内大功率UPS 超过50%的市场份额被国外厂商施耐德、艾默生、伊顿掌握,UPS 国内市场将进入进口替代阶段,公司市场份额提升空间较大。



美国EPC公司大中华及东南亚销售副总裁张文宾通过《氮化镓功率器件如何推动现实生活中各种全新应用的发展?》的主题演讲,具体介绍了氮化镓功率器件如何推动现实生活中各种全新应用的发展,并在现场详细阐释了氮化镓功率器件发展至今约三十年的时间内,为什么直至近一两年才开始加速显现其商品化价值,看似缓慢的发展过程到底遇到了什么瓶颈?如何克服这些问题?氮化镓功率器件的机遇是什么?



Asia, Sales, Mktg & Apps, GaN Systems Inc.资深总监charles Bailley在现场分享了《用于电源转换的氮化镓功率器件新纪元》。他认为,GaN具有比SiC更低的成本,可以很好地替代IGBT 和MOSFET。



晶湛半导体首席执行官程凯在现场介绍了用于电力电子的GaN材料进展情况。



瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理冯淦在针对“碳化硅功率半导体外延生长技术进展”在现场做了详细分享。



株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师刘国友在现场分享关于IGBT及其制造过程中若干问题的探讨,并介绍了株洲中车IGBT技术研发与产业化的进展。



中国科学院微电子研究所研究员黄森作了题为《Si基GaN增强型MIS/MOS-HEMTS制备技术》的主题演讲。



瀚薪科技总经理李传英在现场分享了关于先进碳化硅MOSFET 产品技术发展与应用,就SiC 材料特性、SiC JBS 的关键组件设计,SiC MOSFET组件的设计、制作、测试以及信赖性测试的重要考虑点等内容做了详细介绍。



在本次论坛的闭幕演讲中,合肥晶合集成电路有限公司资深副总经理黄宏嘉就“智能汽车:中国集成电路发展的契机与挑战”为主题,针对中国集成电路发展的现状及在智能汽车电子板块遭遇的几点挑战作出论述。他指出,近年来,随着环保能源议题的急剧升温,加上人工智能的迅猛发展,智能汽车极有可能继智能手机之后成为下一个集成电路的杀手级应用。中国国务院发布的“中国制造2025”计划中明确提出新能源汽车和自动驾驶汽车为十大战略性产业之一。中国试图在2030年实现75%智能汽车渗透率的政策目标不仅代表着百亿美元的市场商机,集成电路产业如何协同合作以达成这一艰巨目标是刻不容缓必需深思的问题。
 


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