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线上线下共狂欢!2020北京化合物半导体先进应用大会破时空联动出彩

2020/10/20 9:27:33     

未来已至,芯机不待。2020年10月13日,化合物半导体先进应用大会在北京国家会议中心火热开幕。200余进步人士纷至而来,与此同时,还有超过800位观众守候在网络端,准点收看线上同步直播。本次线上线下联动会议由雅时国际商讯品牌精铸、《化合物半导体》杂志社匠心打造,是与2020年同期举办的中国射频/微波和高速数学设计领域最大的会议和展览电子设计创新大会(EDICON2020)同期举办,探索探讨了化合物半导体涵盖的重要主题,是融聚行业专家、创新创业者的行业盛会。

近年来,随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起,以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注,GaAs HBT和GaN HEMT的应用蓬勃发展,GaAs pHEMT和硅上GaN晶体管也将接踵而至。宽禁带半导体也迅速发展。SiC SBD、SiC MOSFET及全SiC模块在主逆变器、OBC和充电桩等领域大显身手,硅基GaN电力电子器件及GaN激光雷达也将在低压变换及自动驾驶上各显神通。本次会议正是在此背景下,聚焦5G与新能源汽车的发展,邀请多位行业专家共同探讨化合物半导体在数字经济时代的机遇。

在14位专家顾问团的倾情指导下,会务组精准掌握行业需求点并为之有针对性筹备,使得本次会议从备受期待到惊艳全场。行业精英纷至沓来,会场座无虚席,展厅人潮涌动,据现场不完全统计,实际到场人数远超预报名。

那么会上嘉宾们究竟都作了哪些干货满满的精彩发言?下面就跟着小编一起来回味一下吧!

本次大会由大会主席化合物半导体杂质主编陆敏博士主持。

第一位发言嘉宾是来自北京大学宽禁带联合研究中心主任、东莞光电研究院常务副院长张国义博士教授,他分享的题目是“发展功能性衬底,助推氮化物半导体发展”。众所周知,与传统4G等通信技术相比,5G需满足全频谱接入、高频段乃至毫米波传输、超高宽带传输三大基础性能要求,因此器件原材料则相对应的需要实现大规模集成化、高频化和高频谱效率。相关的半导体材料包括衬底材料、硅基半导体材料和化合物基半导体材料。张博士老师的发言聚焦功能性衬底、氮化物半导体,从衬底的发展历程上总结出平面型衬底-图形化衬底-功能性衬底的演进方向,当下正是功能性衬底的大好舞台,用户可以根据自己研发器件的需求,选择性使用具有不同功能的衬底材料,有利于减少MOCVD生长的复杂性,提高器件性能,助推氮化物半导体的快速发展。让在场观众对这一领域有了更深刻的理解,受益匪浅。

提到第三代半导体材料,大家一定能联想到氮化镓(GaN)。GaN射频功率器件高功率密度、高效率、高截止频率以及宽带宽的优势在微波射频领域受到越来越多的瞩目。那么,实现5G的关键技术是什么呢?第二位发言嘉宾就给我们带来了相关的演讲,她来自Qorvo IDP应用工程师经理荀颖,专注于4G/5G基站射频芯片的技术应用支持、产品推广及相关市场的技术演进探究。荀颖从实际应用场景与不仅拥有技术研发的坚实理论背景基础相结合出发,对于客户现场应用难题的解决也有丰富的经验。曾任职于华为等公司从事基站射频系统开发和设计工作Sub 6 G及毫米波不同频谱,给出了Qorvo的不同解决方案,让与会者对5G技术的应用场景与发展方向有了更清晰的认识。

在全球大趋势的推动下,化合物半导体凭借其优良的材料特性在各个新兴领域得到了应用。 其中最引人注目的碳化硅和氮化镓SiC和GaN材料,它们已逐步替代传统硅基材料,在功率半导体器件中崭露头角。近年,SiC材料在电动汽车领域得到了广泛的引用,而GaN材料已渗透消费级功率器件市场。为了成为功率半导体器件可持续发展的解决方案,这两种新材料器件如何克服性能,可靠性,及生产成本的难题?第三位嘉宾,毕业于英国利物浦大学工程学院,主修先进半导体沉积技术,现任AIXTRON中国区市场营销和工艺部门经理的方子文博士就针对这一问题,带来了“用于宽禁带半导体材料大规模生产的解决方案”这一演讲,介绍了最新的SiC及GaN外延大规模量产方案,包括硅基GaN外延生产良率及成本控制和SiC外延生产良率及成本控制,只有当性能和成本目标同时达到时,新材料才能获得终端市场的认可。

第四位演讲嘉宾是清华大学电子工程系长聘副教授,信息光电子研究所所长汪莱副教授,她他针对后疫情时代,Micro LED显示将开启新一代5G物联网应用这一背景为我们带来了“InGaN量子点microLED技术”这一演讲。Micro LED能与感测元件以及驱动IC整合,创造多元人机互动介面,MicroLED显示器的结构也比OLED强韧,不易受到外在环境因素影响,也没有视角限制,能够真正实现Display Everywhere的智慧科技应用,。这些优点让汪教授的分享主要集中在InGaN量子点的引入有源区,从而有效的抑制尺寸缩小带来的光提取效率下降的关键难点问题,通过细致的理论计算与详实的实验验证揭示了格外吸引人创新性,听完后不得不感叹MicroLED技术离我们越来越近了。

接下来的演讲嘉宾是中国科学技术大学微电子学院特任研究员、博导孙海定博士,他的演讲课题是“AlGaN基深紫外发光器件”。他针对目前市场和实验室研究开发的紫外光发光二极管(UV LED) 电光转换效率(wall plug efficiency)较低这一致命弱点,介绍了多种提升效率的创新方法(包括外延生长和器件设计等),主要包括:减少外延层中的缺陷和位错斜切蓝宝石衬底外延生长;改进 n 型和 p 型掺杂效率的量子阱和量子垒结构,以形及成用于改善电流注入效率的导电薄膜创新的雪崩载流子回路注入集成发光器件;设计器件结构提高光提取效率和转化效率;以及在有源发光区使用一种新颖的AlGaN 基量子阱和势垒等方法对器件的性能进行提升,创新技术路线清晰,实现途径切实可行,为深紫外发光器件的实用化开创了光明的前路。。

随着碳化硅功率MOSFET技术的逐渐成熟,其器件特性在系统设计带来的价值也慢慢得到认可。与此同时,作为一种新型的电力电子器件其应用也越来越广泛。电动汽车的发展让充电桩开始受到关注,那么“碳化硅器件在充电桩中的应用”这一课题的出现就自然而然了,这正是第6位嘉宾、来自英飞凌科技(中国)有限公司高级技术总监陈立烽先生带来的演讲课题。陈总监首先肯定了碳化硅在提升充电桩效率及充电速度上的绝对优势(相对于硅器件),不过需要根据不同需求,设计出不同的电路拓扑,从而选择合适型号的碳化硅器件,才能制造出性价比最佳的充电桩产品。另外陈总监也指出了碳化硅器件也不是万能的,不可能完全取代硅器件,他们在某些领域有竞争,某些领域有合作,某些领域各司其职。让我们对碳化硅器件的应用及发展有了更为理性和真实的认知。

第7位演讲嘉宾是来自德科技KEYSIGHT 汽车与能源事业部业务的拓展经理朱华朋先生,他在“GaN和SiC功率器件测试解决方案”的演讲中回答了 “中国的第三代半导体产业的发展情况是怎么样?”、“第三代半导体器件的测试情况是怎么样?有哪些挑战?有哪些解决方案?”等重要问题,结合实际案例,十分具体生动,干货满满,让与会的工程师们了解了如何更有效的在宽禁带功率器件测得准方面收获颇丰。

第8位演讲嘉宾是来自苏州量微半导体有限公司的总经理傅玥博士,他认为随着5G手机耗电量增加,大功率快充将成为标配,同时手机、笔电、平板电脑等终端产品充电器将趋于归一化,受到消费者广泛关注的GaN充电器将在后续手机品牌发布会上继续登台亮相,伴随着GaN在消费电子行业中的普及,GaN芯片的设计、制造成本将快速下降,进一步刺激市场应用普及。傅玥博士给大家详尽的分析了硅基GaN电力电子器件的具体工艺流程及关键技术,并针对市场上典型的快充适配器进行了电路结构分析对比,给出了苏州量微的独特创新LLC结构设计,可以获得行业内功率密度最高,体积最小的适配器。根据Yole的数据,预计到2024年GaN功率市场的规模将达到7.5亿美元,2018~2024年的CAGR高达92%。因此他带来了“氮化镓功率器件:新起点与新机遇”的分享。

 最后一位嘉宾则是来自Soitec公司,中国区战略发展总经理张万鹏先生。Soitec是全球领先的优化衬底供应商。目前为市场提供SOI等优化氮化镓衬底产品,主要用于功率放大器、光电及电力电子等市场,碳化硅等宽禁带产品也在快速研发中即将面市。张万鹏先生则有超过20年的半导体产业从业经验, 曾参与创业并曾在跨国芯片公司LSI Logic和Broadcom负责技术和产品管理。他本次演讲主要介绍了第三代半导体材料衬底的相关技术、挑战、发展趋势,并列举了一些成功应用,如Smart cut 技术如何让碳化硅材料从昂贵的价格神坛上走下,快速助推碳化硅产业前行。

本次会议当然也少不了火热的抽奖环节。三等奖3人、二等奖2人都喜获奖品,本次一等奖可是相当的亮眼—2克拉莫桑钻,有ACT雅时国际商讯总裁麦先生亲自抽取并颁奖!

 

 短短一天的会议落幕了,亲临现场的观众感受前所未有的兴奋,线上围观的观众亦被情绪感染,大呼意犹未尽。为了充分满足大家强烈的回放要求,会务组在会后第一时间整理了直播内容,放在微信公众号里,以便温故知新。有一群爱学习的小伙伴给力支持,《化合物半导体》杂志深感荣幸,亦将不断提高资讯质量和办会体验为初心使命,和大家一起同发展共成长。衷心感谢大家的捧场,也希望大家继续关注和支持!


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