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IGaN和A-PRO共同开发8英寸(200毫米)650V GaN器件

2020/12/8 19:06:38      材料来源:semiconductor-today

项目旨在推动GaN的批量生产及在二次电池市场上的广泛应用

总部位于新加坡的IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)公司,专注于硅/碳化硅基氮化镓(GaN-on-Si / SiC)外延晶片,并推动其应用在功率,RF和传感器中的8英寸(200毫米)GaN制造技术,不断开发创新并将其商业化。A-PRO Semicon Co Ltd是位于的韩国A-PRO Co Ltd的半导体业务子公司,该公司生产用于功率/ RF电子应用的GaN器件。目前,两家公司举行了项目启动仪式,共同生产650V E模型GaN功率晶体管。

在此之前,IGaN投资7300万美元在新加坡建立了GaN Epi中心,为合作伙伴提供GaN Epi和8英寸(200mm)GaN批量制造的专业技术。

IGaN的首席执行官Raj Kumar说:“通过将IGaN的量产成本效益、GaN缺陷控制解决方案与A-PRO Semicon在功率转换和蓄电池市场的现有功能相结合,创造新的协同效应。IGaN旨在推动GaN的技术创新和在A-PRO Semicon供应链上功率/ RF器件中的应用。”

“该合作将使我们利用IGaN的专有技术来加快已有的E模GaN器件生产,使我们走上加强8英寸商业化战略的道路,” A-PRO Semicon的技术主管Hyundon Song说,“A-PRO Semicon可以通过扩展产品组合,更好地服务我们现有的客户群,其中包括许多领先的技术品牌,并能够实现遍布全球的可持续扩展。”

该合作旨在进军功率GaN市场,到2025年该市场有望超过7亿美元。市场研究公司Yole Développement在2020年第一季度复合半导体季度市场监测报告称2020年为“ GaN年”,特别是GaN在消费快速充电器市场上的兴起。

GaN在功率和RF市场中逐渐取代功率电子器件中的硅,因为GaN的宽带隙可实现更高效的功率转换,因此可以承受更高的电压并允许电流更快地流过器件。此外,IGaN补充说,器件工程师可以在相似的电压应用中使用GaN,同时保持比硅较小的面积。
 

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