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Transphorm与Yaskawa扩展了多年GaN合作发展协议

2020/12/24 22:54:32      材料来源:semiconductor-today

Transphorm Inc,位于美国加利福尼亚州圣塔芭芭拉附近的Goleta城市,主要设计和制造符合JEDEC-Q101和AEC-Q101要求的650V和900V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),适用于高压电源转换应用。日本北九州市的Yaskawa电机(Yaskawa Electric Corp)是中低压变频器,伺服电机,机器控制器和工业机器人的制造商,也是Transphorm Inc的长期战略合作伙伴。近日,双方扩展了多年的合作和发展协议。


作为协议的一部分,Yaskawa将对Transphorm进行总计400万美元的投资,其中第一笔100万美元将在12月中旬到账。双方的合作始于2017年,Yaskawa向Transphorm投资了1500万美元,此次协议是双方下一阶段合作的扩展。


Yaskawa将从伺服电机和变频驱动器应用开始,将Transphorm的GaN功率器件产品逐渐用于工业功率转换应用。Transphorm依据协议进行的功率器件开发活动,通过进一步提升下一代应用产品的性能而使Yaskawa受益。


联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra说:“ Transphorm非常重视与Yaskawa的长期合作关系,这将有助于推进Transphorm的GaN FET平台的发展,从而为工业和电机控制应用以及其他市场提供高性能功率器件。根据协议进行的设备开发将进一步提高Transphorm产品的规格,同时保证质量和可靠性。产品性能的提升将使得新型GaN产品更具有吸引力,特别是应用于机器人和运动控制以及更广泛的工业和白色家电应用的伺服驱动器。”

 

 

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