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美国空军研究实验室将0.14μm碳化硅基氮化镓工艺转让给MACOM

2021/2/3 9:55:41      材料来源:compoundsemiconductor

位于美国马萨诸塞州洛厄尔市的MACOM Technology Solutions股份有限公司(为模拟RF,微波,毫米波和光子应用设计和制造半导体,组件和子组件)与美国空军研究实验室(AFRL)就碳化硅氮化镓(GaN-on-SiC)技术签订了合作研发协议(CRADA)。
 
AFRL和MACOM将共同合作,将AFRL的0.14μm碳化硅基氮化镓生产工艺转移到MACOM的"US Trusted Foundry"(ITAR注册设施,是美国国防业务的首选设施)。双方的半导体专家将一起帮助MACOM完成生产工艺的快速迁移。
 
AFRL碳化硅上氮化镓工艺适用于单片微波集成电路(MMIC)产品,并能够实现业界领先的频率和功率密度性能。一旦转让该工艺,MACOM将扩展标准和定制MMIC产品的范围。
 
MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly说:“这种半导体工艺帮助我们制造出高性能的产品从而进入微波和毫米波GaN MMIC市场。我们的晶圆制造厂具备一流的装备来支持GaN,包括已安装的电子束光刻技术,因此我们可以以最少的投资将工艺上线。我们将为商业和美国国防提供服务,包括卫星通信系统以及陆基、空基和海基雷达系统。”
 
“我们期待MACOM通过一流工业化的GaN半导体工艺来满足美国空军和国防部的核心要求,”AFRL传感器部的Robert Fitch博士说。“扩大国内先进半导体制造是国家的第一要务。”
 
 
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