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化合物半导体大事记之1997年:砷化镓的增长

2021/2/13 9:06:29      材料来源:compoundsemiconductor

拥有一部移动电话在九十年代初并不普遍,但在2000年之际已经变为常态。手机的普及促进了砷化镓微电子器件生产商的销售,推动了几家公司实现里程碑式的突破,包括:1997年RFMD发行股票,Rockwell 的HBT出货量达到200万颗以及Anadigics砷化镓集成电路的销售额达到 100万个。
 
RFMD现为Qorvo公司的一部分,最初是砷化镓 MESFET,硅双极型器件和HBT的无晶圆厂供应商,贡献了85%的销售额。随着对后者的需求激增,RFMD很难跟上供应节奏,错失了与高通公司的重要合同。
 
为了防止这种情况再次发生,九十年代末,RFMD在北卡罗来纳州的Greesnsboro建造了4英寸GaAs晶圆厂。厂房分两期建设,年生产量从最初的10,000个晶圆到最终的25,000个。该设施的资金来IPO,由RFMD的HBT晶圆供应商TRW公司提供。持有RFMD 31.1%的股份,TRW成为RFMD的最大股东。
 
罗克韦尔半导体系统公司(Rockwell Semiconductor Systems)因在90年代末HBT的爆炸性增长而被铭记。在1996年初到1997年中的18个月中,生产量从每月的1万片4英寸晶圆,猛增了70倍,后来通过与Alpha Industries的合并在2002年成立Skyworks Solutions。这些HBT的买家包括高通和三星。两者都很看重这类晶体管,因为它具有良好的线性度和高效率的结合,是制造基于CDMA技术保证长时间通话手机的理想选择。
 
罗克韦尔(Rockwell)面临来自Anadigics公司的竞争,该公司到1997年夏季之前就已经出货了超过一百万个支持CDMA标准的GaAs IC。尽管Rockwell的大多数HBT都已整合到800 MHz至900 MHz频段的电话中,但Anadigics的部分产品却是使用1900 MHz频段在手机发射机中提供放大功能。
 
MESFET是基于Anadigics核心技术的高频产品,其创造的初衷是为公司取得成功奠定基础,但在未来到来之前,MESFET导致了公司的衰落。
 
到90年代后期,手机制造商已从使用6 V电池转变为4.5 V再降至3 V,这有利于HBT的价格竞争力的提高。到2000年代初,Anadigics停止生产MESFET,通过开发新一代的HBT进行反击。它没有使用AlGaAs发射极,而是使用InGaP。这项改进提高了HBT的可靠性,增强了高温工作能力并改善了线性度。Anadigics的产品在手机制造商中大受好评,从而使该公司在3G市场中获得了稳固的份额。
 
 
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