在SiC衬底上的四种新型GaN MMIC器件的可用性,使设计人员能够改进射频系统的尺寸,重量和功率。
Cree / Wolfspeed 将在SiC衬底上推出四种新型多级GaN MMIC器件,从而将其射频解决方案的范围扩展至各种脉冲和连续波X波段相控阵应用,包括海洋,气象监测和新兴的无人机系统雷达。
使用基于SiC技术的Wolfspeed GaN,这些新器件在小型工业标准封装中提供了高功率附加效率(PAE),使设计人员可以在功耗更低的更小系统中实现最高性能。
“ Cree / Wolfspeed的新X波段产品为当今的设计工程师提供了对系统的广泛选择范围,就是那些需要具有挑战性的外形尺寸,高效传输解决方案的系统,例如有源相控阵雷达应用所需的系统,”Cree / Wolfspeed的航空航天和国防高级代工总监Jim Milligan说道, “使用基于SiC解决方案的Wolfspeed GaN,使其能够满足与更小尺寸,更轻重量和更高功率(SWaP)有关的关键射频系统要求,同时达到新的性能水平。”
X波段产品组合提供了支持多级增益的解决方案,从而减少了传输链中所需的器件数量。它们具有各种功率级别以优化系统性能,并提供多种平台来优化系统架构。
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