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GaN系统的低成本晶体管首次亮相

2021/8/18 19:21:51      材料来源:化合物半导体

采用标准 8×8 mm PDFN 封装的新型 GaN 晶体管具有更低的导通电阻、更高的稳健性和热性能


GaN 系统推出了两种采用标准 8×8 mm PDFN 封装的新型晶体管。GS-065-011-2-L允许用户在45W至150W的应用中降低每瓦特的供电成本,GS-065-030-2-L是市场上第一款GaN产品,使设计师能够在3000W功率水平的应用中获得低成本GaN的优势。

 

这些新型晶体管具有更低的导通电阻、更高的稳健性和热性能、更高的 VDS(瞬态)额定值以及可简化客户采用、可扩展性和商业化的行业标准形状因数。

 

GS-065-011-2-L是一款650伏11安150 mΩ 底侧冷却晶体管,是充电器和适配器等消费电子应用的理想选择,包括更高功率的适配器设计,该设计得益于晶体管改进的热性能。GS-065-030-2-L是一款650伏、30安、50 mΩ 底部侧冷却晶体管,具有GaN系统PDFN产品系列中最低的RDS(on)。更低的RDS(on)意味着更低的功率损耗和更高的额定功率,从而提高效率和功率密度。GS-065-030-2-L GaN晶体管适用于数据中心、工业和5G应用,如电信和服务器开关电源、电机驱动器、储能系统和无桥图腾极PFC解决方案。

 

“GaN 在电力电子领域取得了显著成绩——在尺寸、重量、效率、成本和性能方面——我们为每一代新产品中取得的进步感到自豪,这样客户就可以最大限度地发挥 GaN 的优势。有了这些新的 GS-065-011-2-L 和 GS-065-030-2-L 产品,我们的客户可以利用更小、更高效和更具成本效益的电力电子产品带来的好处,” GaN Systems 首席执行官 Jim Witham 说。

 

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