行业新闻详细内容

Carbontech 2021 碳化硅半导体论坛

2021/10/18 16:44:50      材料来源:化合物半导体

 

01  论坛概况


随着新能源汽车、光伏、智能电网等新兴产业的快速发展,激发了碳化硅等宽禁带半导体巨大的市场潜力,同时也对其提出了更严苛的质量与性能要求。碳化硅相较传统单晶硅材料综合性能优越,替代市场空间广阔,已成为当下最具投资价值的半导体材料之一。但目前我国碳化硅产业整体发展落后于欧美日国家,亟待突破大尺寸低成本碳化硅衬底制备技术,先进碳化硅外延层制备工艺,碳化硅MOSFET、IGBT等功率器件核心技术,以早日实现全产业链国产化,满足下游市场迫切需求。

 

Carbontech 2021碳化硅论坛将聚焦碳化硅衬底、外延、功率器件制造及相关应用等领域的技术难点与前沿发展趋势,旨在突破碳化硅半导体产业技术瓶颈,吸收顶尖研究机构与企业的行业远见,整合对接碳化硅半导体产业链资源,推进突破性的实验室研究成果转化,让科研赋能产业、产业反哺科研,共同推动碳化硅半导体行业的高质量发展!

 

论坛规模:300人

论坛时间:2021年11月18-20日

主办单位:DT新材料

承办单位:宁波德泰中研信息科技有限公司

合作媒体:CSC化合物半导体、旺材芯片、电巢、与非网、半导体芯科技、集邦咨询

 

02 论坛议程


 

03 论坛议题


宏观分析:

1. 第三代半导体产业发展趋势

2. 碳化硅材料、器件研产现状及应用发展趋势

3. 碳化硅产业专利、政策及知识产权分析

4. 我国碳化硅产业如何加快国产化进程

 

SiC衬底、外延及设备:

1. 4英寸、6英寸SiC衬底国产化进程及8英寸衬底制备工艺

2. 高品质半绝缘型及导电型SiC衬底制备工艺

3. SiC PVT、HTCVD单晶生长工艺

4. SiC外延生长工艺

5. SiC单晶设备的制造技术及国产化进程

6. SiC衬底切割、研磨、抛光、清洗等关键技术与装备


SiC功率器件及应用:

1. SiC基高压大功率IGBT器件制备工艺及国产化进程

2. SiC基SBD/JBS及MOSFET器件研究进展

3. SiC功率器件封装测试技术及设备

4. SiC基微波器件制备工艺及在射频领域的应用

5. SiC功率器件芯片研产进展

6. SiC功率器件在新能源汽车、充电桩、轨道交通等领域的应用

7. SiC功率器件在光伏、风电、工业、家电等领域的应用

 

(报告议题包括但不限于以上形式)

 

04 参会嘉宾


 

05  论坛地点


上海跨国采购会展中心,上海市普陀区光复西路2739号(南门)

 

 

 

06 往届回顾


Carbontech 2020共包含全体大会和8个分论坛,领袖企业、知名科研院所和高校的3000+决策者和科学家齐聚,呈现200+演讲与互动、新材料CEO高峰论坛和国际碳材料+制造创新挑战赛,同期20000平碳材料主题展区,200+展商产品展示,一站式逛遍碳材料全产业链,打造沉浸式的参会观展体验,共同畅谈碳材料行业未来。

 

Carbontech 2020碳化硅半导体论坛由西安电子科技大学微电子学院张玉明院长担任论坛主席,21位报告嘉宾分别从衬底、外延、封装测试、功率器件设计及在各领域的应用以及投资等多个角度,全方位的展示了碳化硅产业链目前的研产进展与对未来的展望。

 

07 注册信息

 

 

1、会议注册

 


 

2、缴费方式

 

银行转账
名称:宁波德泰中研信息科技有限公司
开户银行:中国建设银行股份有限公司宁波住房城市建设支行
帐号:33150198343600000107
支付宝转账
名称:宁波德泰中研信息科技有限公司
支付宝账户:info@polydt.com
会议现场缴费
现场可通过刷卡、现金、支付宝及微信缴费 

特别提醒

1) 请务必完整填写注册表信息!请一定在汇款附言上注明“姓名、单位、碳材料会务费”!

2) 现场缴费,发票在会后10个工作日内开具并寄出。

3) 需要开具普通增值税发票时,提供单位名称和纳税人识别号即可;需要开具增值税专用发票时,需提供单位名称、纳税人识别号、单位地址、电话、开户行及银行账号全部信息。

 

08 参会联系


Bella Huang

Cell Number: +86 133 3667 4895

Email: Bella@carbontechglobal.cn   

Website: www.carbonconf.cn

 

声明:本网站部分文章转载自网络,如涉及侵犯版权,请联系我们,我们立即删除。联系电话:0755-25988571


上一篇:2021中国MEMS制造大会完... 下一篇:UTA将开发新的半导体材...