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化合物衬底市场到2027年将达24亿美元

2022/11/29 8:06:57      材料来源:化合物半导体

在功率和光子学应用的推动下,市场正以16%的复合年增长率增长。

 

根据Yole Intelligence最新的《2022年化合物半导体行业现状》报告,在功率和光子学应用的推动下,到2027年,化合物半导体衬底市场的价值将接近24亿美元,2021年至2027年的复合年增长率为16%。

 

几十年来,化合物半导体已被许多应用采用;最近,功率应用中的SiC和GaN,射频应用中的GaN和GaAs,光子学应用中的GaAs和InP,以及显示器中的LED和μLED都有不错的发展势头。因此,衬底和外延片市场也有望增长。

 

Yole集团旗下Yole Intelligence专门从事化合物半导体和新兴衬底的高级技术和市场分析师Poshun Chiu表示:“Wolfspeed是功率SiC和RF GaN的领先SiC衬底和外延片供应商。由于大尺寸衬底是下一代器件制造的战略资源,8英寸晶圆厂的开设和材料产能的扩大说明了未来十年的宏伟目标。

 

与此同时,II-VI完成了对Coherent的收购,并更名为Coherent,说明了其重点的转变。如今,Coherent是领先的光子器件厂商,也是功率和射频应用的领先SiC衬底供应商。此外,它正在与SEDI合作制造RF GaN器件,并已与GE一起进入功率SiC器件业务。两者都在加强从衬底层面到器件层面的竞争力。

 

AXT、住友电工、Freiberger和SICC是GaAs、InP和半绝缘SiC衬底的领先供应商。他们增加收入的目标依赖于扩展到其他化合物半导体材料。市场参与者们正在研究砷化镓和InP衬底在射频、光子和μLED应用中的协同作用。此外,半绝缘SiC的参与者正在进入n型SiC,因为它是一个增长率更高的市场。

 

Yole Intelligence化合物半导体和新兴衬底技术和市场分析师Taha Ayari表示:“外延片供应商受益于化合物半导体开放式外延片市场的不同动态。IQE一直参与各种化合物半导体市场(例如,RF GaAs和GaN),因为InP和GaAs光子学的两位数复合年增长率代表了市场的数量和规模。μLED是一个蓬勃发展的市场,预计未来五年每年翻一番。VPEC已成功成为公开市场上最大的RF GaAs外延片供应商,公司将继续增加其在光子学领域的参与度,以实现未来的增长。”

 

Yole在化合物半导体和新兴衬底领域的首席分析师Ezgi Dogmus表示:“随着LED、手机功率放大器以及电信和数据通信的发展,化合物半导体在1990年代随着GaAs和InP经历了它的第一个拐点。”

 

Yole表示,随着对5G连接、电动汽车和智能手机快充的需求进入市场,化合物半导体的数量和市场价值都将增长。展望未来,电动汽车,包括更高电压的应用、各种终端系统中的传感、从5G到6G的过渡以及μLED显示器,将为不同的化合物半导体材料带来拐点,还有更多新兴的衬底和新的应用将出现。

 

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