显在斯坦福大学,我们追求这种统一的方法,利用金刚石——一种将异常高的热导率与强电绝缘性相结合的材料。通过在完全制造好的AlGaN/GaN HEMT顶部直接集成一层低温生长的多晶金刚石薄膜,我们将世界上导热性最好的材料,放置在离沟道热点区域极近的位置——那里正是热量产生最强烈的地方。在这个顶部位置,金刚石将热量从有源区高效散播出去,而不形成电导通路,同时充当表面钝化层。这种双重作用改善了热学和电学性能。
显在斯坦福大学,我们追求这种统一的方法,利用金刚石——一种将异常高的热导率与强电绝缘性相结合的材料。通过在完全制造好的AlGaN/GaN HEMT顶部直接集成一层低温生长的多晶金刚石薄膜,我们将世界上导热性最好的材料,放置在离沟道热点区域极近的位置——那里正是热量产生最强烈的地方。在这个顶部位置,金刚石将热量从有源区高效散播出去,而不形成电导通路,同时充当表面钝化层。这种双重作用改善了热学和电学性能。