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业界动态 | Industry

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衬底上的结构而言则降至低于 10 /cm 。
Lugauer 说 ：“现在尚不清楚 AlN/ Osram Opto 目前为 UV LED 外延生长和芯片开发采用的
蓝宝石模板上的位错密度是否低到足 是两英寸蓝宝石晶圆，并提供了一个 AlN 缓冲层以释放
以实现高电流密度杀菌消毒应用所需 晶格应力。然而，该公司的研究人员已经忙于进行在 AlN
的高效率和可靠性。”
衬底上生长外延的试验，而且相关工作将作为 UNIQUE
而且，如这位 UV-LED 研发项目
项目的一部分继续下去。
负责人所指，基于 AlGaN 的结构对于
缺陷和位错是非常敏感的。诸如气体
检测等波长更短的应用究竟还能不能 则能使晶圆传送变得容易。” 底，以满足不同的应用要求。”
使用蓝宝石衬底呢？对此他表示怀疑。 他补充说 ：“随着晶圆尺寸的增大， 与此同时，Lugauer 把他的目光紧
他补充道 ：“AlN 衬底可提供非常 弯曲问题显著地增多，因而使得对于深 紧地盯在外延生长和芯片加工工艺上。
低的位错密度，这一点对于器件效率 紫外光 LED 加工制作来说，采用 4 英 他认为，实现深紫外光 LED 经济型批
和寿命应该具有积极的作用，并为我 寸和 6 英寸蓝宝石衬底在目前多多少少 量生产的关键步骤是 ：开发一项能制
们提供 Osram Opto 因其而广为人知的 不太可能。与此相反，一旦可提供较大 作具有高内部量子效率的 LED 的外延
高性能、高质量器件。” 的 AlN 衬底，那么相关的工艺流程即 生长工艺，以及一项可生产具有高电
另外，Lugauer 还着重说明了采用 可直接转移到 [ 更大的 ] 晶圆尺寸。” 流稳定性和高取光效率的器件的芯片
具有 AlGaN 层的原生 AlN 衬底是如何 尽管如此，Lugauer 承认蓝宝石衬 加工工艺（以提供高于 10% 的外部量
降低热感应应力和外延生长之后的晶 底的成本便宜得多，因此 Osram Opto 子效率）。
圆弯曲的。他说 ：“在我们的芯片加工 将紧跟上述两种衬底发展路线，直到 他说 ：“在我们的 UNIQUE 研究项
生产线上，采用蓝宝石衬底的深紫外 材料的优势和局限性更加清晰为止。 目中，这两项工艺目前都在开发阶段，
光 LED 的大幅弯曲有时会完全阻止自 “到那之后我们将选定最实用的方法。 但是我们预计在 2020 年之前是达不到
动化晶圆传送，但是 [ 采用 AlN 晶圆 ] 也许的结果是 ：我们将兼用这两种衬 生产要求水平的。”

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www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2018年第1期 9