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业界动态
为 GaN 器件
批量生产亮起绿灯
在推出采用 200 mm CMOS 工艺的硅基 GaN 器件之
后,Exagan 和 X-Fab 准备将其投入批量生产,将在
一家 CMOS 晶圆厂生产硅基 GaN 器件。
-Rebecca Pool 报道。
业 界合作伙伴 X-Fab 和 Exagan 采用 200 mm
CMOS 工艺生产了硅基 GaN 晶体管,实为
硅基 GaN 器件市场上的一次突破。
先是在 Exagan 位于法国格勒诺布尔的 200
mm 外延制造工厂进行了基片制作,随后在 X-Fab
设在德国德累斯顿的 CMOS 代工厂实施了器件加
工处理,目前则开始为首批客户提供 650 V G-FET
原型。
至关重要的是,旨在提升产量的计划已逐步
铺开,而且大批量生产也早就在两家公司关注的
视野当中。
Exagan 总裁兼首席执行官 Frédéric Dupont 强
调指出 :“我们率先转让了技术,并采用标准硅生
产设备和工序在一家 CMOS 晶圆厂以优质制造水
平在 200 mm 晶圆上生产了硅基 GaN 器件。重要
的是,我们已经在最具竞争力的晶圆尺寸上确立
了自己的技术和产品 ;并利用了成熟的 200 mm
CMOS 工艺和高生产率的制造环境。”
他补充道 :“一旦我们的产品在市场上获得
确认,我们将能够与 X-Fab 合作非常迅速地提高
产能。”
Exagan 的硅基 GaN 技术自上世纪 90 年代后
期以来一直在开发之中。
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