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业界动态 | Industry

设立 SiC 标准

随着目前最先进 SiC 生产线的建成投产，而且封装设备不久即将投入使用，纽约电力电

子制造业联盟（New York Power Electronics Manufacturing Consortium）准备提
供下一代功率器件。 — Rebecca Pool 报道

在 纽约州立大学理工学院（SUNY Poly, the 纽约州北部地区的经济。
State University of New York Polytechnic
GE 将负责制造尖端 SiC 芯片，由 Danfoss 随
Institute）领导下的纽约电力电子制造业联盟（NY- 后对芯片进行装配和封装以集成到系统中。预计
PEMC）最近在其位于 SUNY Poly 纽约奥尔巴尼 制造产能将超过 15,000 片晶圆 / 年，而且，由于
（Albany）园区的 SiC 工艺流水线上生产了图案化 Danfoss 是在新兴美国市场上被指定运营的仅有
晶圆，这是功率 MOSFET 鉴定方面的一项突破。 的本土量产封装中心，因此 NY-PEMC 的前景是
正如 SUNY Poly 副校长 Jeffrey Hedrick 告诉 光明的。
《化合物半导体》杂志的那样 ：“这意味着我们开 Hedrick 说 ：“GE 和 Danfoss 是我们的核心成
始运作了，我们的设备进入了正常运行状态，而 员，我们期待在不久的将来会新增加其他重要的
且我们的工程师和科学家们目前正努力地工作以 合作伙伴。”
制造这些先进器件。” “我们有能力轻松达到一年 15,000 片晶圆的
这一切始于 2014 年，当时通用电气公司（GE） 产量，这种生产水平对于今后三年来说是绰绰有
与 SUNY Poly 合作，共同建设一条用于碳化硅 余了，而且我们具备扩展产能的能力，当市场需
MOSFET 和二极管的最先进 150 mm 工艺生产线。 求量攀升时可以把这个数字增加到每年 50,000 片
GE 与 SUNY Poly 组成纽约电力电子制造业 晶圆。”
联盟（NY-PEMC），GE 在知识产权方面提供了超
过 1 亿美元的投资，该联盟的总投资额（包括纽 最新发展
约州所给予的资金支持）则达到了 5 亿美元。 在最近几个月里，NY-PEMC 晶圆制造分部
2015 年，纽约州投入的资金另增加 1 亿美 的活动已集中在将其基线工序流程扩大到制造准
元，GE 和 SUNY Poly 透露了在位于 SUNY Poly 备就绪。该工序流程包括在位于纽约尼什卡纳
的尤蒂卡（Utica）园区的计算机芯片商业化中心 （Niskayuna）的 GE 全球研发中心开发的工艺技
（Quad-C）建立一家功率电子器件封装工厂的计 术。就像 Hedrick 指出的那样 ：“GE 一直不断地
划。 与我们合作，以把相关技术从其研发中心转移到
随着丹麦电源模块制造商 Danfoss Silicon 我们位于 Albany 的 SiC 工艺流水线。”
Power 最近加入 GE 和 SUNY Poly 的联盟，开始 眼下，晶圆制造设备处于其在符合 SiC 专
在这里开展 SiC 电源模块封装业务，看起来 NY- 用 Class-1 标准的洁净室中进行的 ISO 9001 标准
PEMC 肯定会成为北美地区的“碳化硅走廊”。 认证的最后阶段。所有的设备，包括光刻、反应
作为 NY-PEMC 晶圆制造和封装分部的领导 离子蚀刻、金属化、计量、测量、在线电气测试
者，Hedrick 当然这么认为。他强调了该制造业联 等，均已接近安装完毕。而且，该联盟的工程师
盟将如何帮助提供大量急需的工作岗位，并重振 团队打算在今年年底之前请相关机构按照汽车

4 化合物半导体 2018年第1期 www.compoundsemiconductorchina.net