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业界动态 | Industry

AEC-Q101 可靠性规范对工艺流程进行 Hedrick 强调说 ：“业界目前正在 备最多可提前 8 个月订货，其中的很
验证和鉴定。 向 150 mm 衬底过渡，并将最终过渡 多在今年年底之前即可到货。我们会
Hedrick 解释说 ：“现在我们专注 到 200 mm 衬底。从现在起几年之后， 尽快地开始安装这些设备，并在 2018
于工艺设置和验证。但是，我们很快 当 200 mm 衬底在技术上和经济上可行 年完成前三条生产线的鉴定。”
就将能够制造具有无可比拟的可靠性 时，我们将能够以低成本统筹安排我 那么，在接下来的几年里所有的
的合格 MOSFET 器件。” 们的设备。”他补充道 ：“当市场行情 系统都将准备就绪，对于 NY-PEMC 来
的 确 ， 到 2018 年，1.2 kV 走高时，我们将做好相应的准备。” 说更长期的目标是什么呢？
MOSFET 制造将进展顺利，而这仅仅 与此同时，位于 Utica 的 Quad-C Hedrick 说 ：希望继续扩展他在
是一个开始。Hedrick 和同事们打算在 的封装中心所开展的相关活动也进展 NY-PEMC 内部描述为功率电子器件生
这之后不久提供 1.7 kV MOSFET，接 的相当顺利。这块场地将容纳面向工 态系统的产业环境。
着到 2020 年提供更高电压的器件和集 业、交通运输和汽车应用的制造生产 他说 ：“目前我正在寻找更多的资
成电路。 线，而其他的生产线则将专供研发以 金以创建一个针对功率电子器件和系
此外，安装在 SiC 工艺流水线上 及新型模块和电源部件（power blocks） 统的设计中心。另外，我们也非常愿
的设备是由顶级制造商提供的可加工 的原型设计之用。 意与那些希望把 SiC 衬底和外延片生
200 mm 晶圆的设备，而且如 Hedrick Hedrick 说 ：“为了给 Danfoss 安排 产能力带到纽约的企业进行合作。我
指出的那样，这些设备已经被“分块” 好封装设备，我们制定了非常大胆紧 们将继续发展这条贯穿纽约的高科技
（chunked down）以支持 150 mm 晶圆 迫的进度表，而且我们眼下正在订购 走廊，而且我预料很多消费品和设备
的加工。 许多定制设备。”他补充道 ：“这些设 供应商不久就将加入我们。”

www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2018年第1期 5