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化合物半导体大事记之1998年：神话般的晶圆厂
2021/2/19 10:22:38 材料来源：化合物半导体杂志
在您想到大量生产砷化镓（GaAs）微电子器件时，您也可能会想到用于智能手机的异质结双极晶体管（HBTs）。但这并不是已经存在的唯一市场。在电信领域中，激光器、调制器驱动器、多路复用器、多路分解器、跨阻放大器、时钟和数据恢复电路制造中使用了许多GaAs。在所有这些组件中，GaAs在硅CMOS上获得的更高速度产生了更高的比特率。
早在1998年，当电信领域的GaAs器件热销时，Vitesse通过建造世界上第一座6英寸GaAs晶圆厂来提高产品的产量。
与大多数建筑项目一再推迟项目的完成期限不同，Vitesse在科罗拉多州科罗拉多斯普林斯的工厂比原计划提前了三个多月便完成了建设。第一款采用GaAs MESFET技术的产品于1998年初下线，并于当年第三季度以16种不同的产品为基础，交付了1500万美元的芯片。
Vitesse公司，也是全球从3英寸到4英寸GaAs生产转变的的引领者，为了进一步降低每个芯片的制造成本，建造了6英寸的晶圆厂。尽管改用更大的晶片后每单位面积的衬底成本增加了25%，但是最终对芯片的生产成本却降低了40%。在Vitesse服务的市场上，它的技术必须继续进步，这样它才能与基于硅CMOS的产品保持安全的距离。
网络泡沫的破裂造成了残酷的打击，导致Vitesse的40Gbit/s器件的销售崩溃，并且在90纳米硅工艺技术赶上之前都没有得到恢复。这最终导致Vitesse的GaAs晶圆厂在2003年关闭。
在那之后，该公司转移了产品重点，专注于面向地铁、企业和存储市场的硅基器件产品；并利用其4英寸的InP晶圆厂制造高速电子器件。该公司发展历史的最后篇章永远地定格在了2015年，这一年它被MicroSemi公司收购。
即使在今天，6英寸的晶圆厂也代表着生产GaAs晶体管的最先进水平。这可能也表明了，在过去的二十年里，芯片制造的进展已经停滞不前。但考虑到这一点：在硅CMOS晶圆厂中，晶圆尺寸在20世纪最后30年的快速进步并没有持续到本世纪，而且可能永远都不会有450毫米的硅晶圆厂。
对于硅单晶来说，300毫米的晶圆厂似乎是生产的最佳选择，因为投资任何更大的尺寸都无法获得合适的回报；而对于GaAs而言，同样的情况也适用于其6英寸的生产线。
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