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湖南三安将目光投向碳化硅

      材料来源:化合物半导体

据 Rebecca Pool 报道,随着中国第一条垂直集成的 SiC 生产线的建成,湖南三安半导体计划将其数十亿美元的投资推到首位。


今年6月,总部位于中国的湖南三安半导体开通了全国第一条垂直集成的碳化硅生产线。位于长沙高新技术产业园区,投资 25 亿美元,到目前为止,用了不到一年的时间来建造和处理从晶体生长到功率器件、封装和测试的所有晶圆和器件制造步骤。

 

“这是我们基地的一期建设,”三安集成电路技术营销和销售总监 Mrinal Das 强调说,三安集成电路与湖南三安一起是三安光电的子公司。 “在每月 15,000 片晶圆上,我们已将其全部产能的一半上线......在二期,我们将 产能翻翻。”

 

他补充说:“我们有一个积极的计划,使工厂全面投入运营——这意味着到 2024 年,工厂将每月交付 30,000 片晶圆。”

 

从现在开始,湖南三安的长沙超级工厂将向三安集成电路以及其他国内外客户提供各种晶圆和器件。将该基地描述为 Sanan IC 的“专属”宽带隙功率半导体工厂,Das 现在不会根据实际供应数据得出结论,只是说该工厂“每月可生产1.5万片”。

 

在三安湖南半导体制造碳化硅晶圆。


基地目前专为生产 6 英寸 SiC 晶圆而制造,预计到 2024 年将生产 8 英寸晶圆。正如Das所说:“我的愿景是,在二期,如果有足够的需求,我们将在 8 英寸晶圆上生产,到 2024 年,我们可能会每月生产 15,000 片六英寸和 15,000 片八英寸晶圆。”

 

“在那之后,如果需求在未来五到十年继续上升,我们将扩大产能并每月生产 30,000 片八英寸晶圆,”他说。 “我们的晶体生长团队在我们的晶圆技术上投入了大量精力,通过在中国和美国提交的专利申请进行了大量创新。”

 

事实上,三安集成电路制造 SiC 肖特基二极管已经有一段时间了,而且 SiC MOSFET 也在认证中——1200 V 器件计划很快发布。据三安集成电路总监称,衬底、外延和器件的品质因数都与业界最佳技术“达到同等水平”。

 

Das 还极力强调,该基地还为低功耗应用生产硅基 GaN 器件。正如他的 Sanan IC 同事、北美和欧洲销售和营销传播高级总监 Raymond Biagan 强调的那样:“我们的商业模式是向全球市场提供我们的整个制造平台。”

 

在此期间,湖南三安将聘请本地和更远地区的工程师。 “工程师将主要来自国内人才库,但也会有一部分来自台湾、中国、日本和国际的技术人员,”Biagan 说。

 

市场竞争


尽管如此,三安集成电路和湖南三安也很难在真空中运作。最近,美国 Cree 已向其位于纽约莫霍克谷的 8英寸 SiC 制造工厂投入 10 亿美元,而日本的 Rohm 则刚刚在日本筑后完成了其价值 1.9 亿美元的 SiC 晶圆和器件工厂的建设。总部位于美国的 II-VI 还计划向其中国 SiC 衬底制造能力投入高达 5000 万美元,而德国的英飞凌公司将增加 SiC 外延晶圆的生产。

 

然而,曾在 Cree 和 Wolfspeed 工作超过 16 年的 Das 认为,三安在中国的大型工厂为该组织提供了优势。 “例如,Wolfspeed 拥有迄今为止最大的产能扩张新闻,他们的材料供应范围从北卡罗来纳州延伸到纽约州北部,并且通常在亚洲各地进行各种半导体组装和测试外包,”他说。

 

他补充道:“虽然公司是垂直整合的,但在物流方面仍然存在着挑战,需要在全球范围内将产品转移到各个阶段,而我们有一个漂亮、紧凑、单一的基地,可以做所有事情。”。

 

中国第一条垂直一体化碳化硅生产线在长沙高新技术产业园落成。


Das和Biagan都认为,在长沙基地也设立了他们的公司,以便更容易地瞄准中国最重要的电动和混合动力汽车市场。

 

“分析人士指出,宽带隙材料的主流市场将是汽车市场,因此将总部设在中国很自然,我们可以在物流和快速上市方面迎合其庞大的汽车市场。”Biagan说。 “我们的母公司已经是这里汽车行业 LED 车灯的主要供应商,我们可以通过在国内提供 SiC 和 GaN 来进一步吸引该市场。”

 

Das 和 Biagan 也相信蓬勃发展的 SiC 行业为每个人提供了足够的空间。 Das 表示,所有 SiC 厂商的唯一竞争对手是硅,他和三安 IC 和湖南三安的同事希望与竞争对手并驾齐驱,以实现宽带隙材料的广泛采用。

正如 Biagan 所说:“我们的目标是成为当今由 Wolfspeed 和 STMicroelectronics 等公司服务的 SiC 领域的主要供应商,并成为全球知名的品牌。”

 

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