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Transphorm推出第四代GaN平台及SuperGaN™ Power FET

     

 

设计和制造高可靠性、并率先获得JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓(GaN)功率半导体器件的领先公司Transphorm Inc.近日宣布推出其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比,Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显著进步。

 

Transphorm同时宣布,其推出的第四代以及之后的平台都将相应地被称为SuperGaNTM技术。预计SuperGaNTM将于今年Q2和Q3发布两款650V GaN FET产品,目前两款器件都已处于提供样品阶段。

 

SuperGaNTM新品简介

 

SuperGaN第一款通过JEDEC认证的器件TP65H300G4LSG是一颗650V GaN FET,采用PQFN88封装,导通电阻为240毫欧。

 

 

TP65H300G4LSG产品规格

 

第二款SuperGaN器件TP65H035G4WS同样为650V GaN FET,采用TO-247封装,导通电阻为35毫欧。

 

TP65H035G4WS产品规格

 

这两款器件目前已进入提供样品阶段,并将分别在第二季度和第三季度发布。其目标应用领域包括

·    适配器

·    服务器

·    电信

·    泛工业应用

·    可再生能源

 

系统设计人员可以在Transphorm的4kW无桥式图腾柱AC-DC评估板TDTTP4000W066C-KIT中评估这项技术。

 

 

SuperGaNTM技术与众不同之处

 

在设计第四代产品时,Transphorm的工程团队借鉴了先前产品生产记录的经验,并不断追求提高性能、可制造性和降低成本,从而设计出归于至简又具备实质性改进的新产品。新平台专利技术的优势在于增强了Transphorm GaN固有的高性能,简化了组装和应用,这将是促成SuperGaN TM品牌成功的催化剂。

 

在其专利技术的推动下,SuperGaN Gen IV的优势包括:

·  性能提升

第四代产品的效率曲线更平坦、取值更高,其FOM优异度(RON*QOSS)提高了大约10个百分点。

·  设计更简单

高工作电流下不再需要使用开关节点缓冲电路,简化了第四代产品在设计中的应用。

·  增强抗浪涌电流能力

消除了半桥中内置续流二极管功能对开关电流的限制。

·   降低器件成本

第四代产品的设计创新和专利技术同样简化了器件的封装,从而降低了成本,使Transphorm GaN的价格更接近于硅晶体管。

·   经过验证的稳定性/可靠性

第四代35毫欧FET的栅极稳定性和抗扰度与Transphorm第三代器件相同,均为+/- 20Vmax和4V。

 

 

Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示:“我们希望Transphorm的SuperGaNTM FET像硅基超结MOSFET的发展一样,继续影响下一代电力电子产品。通过提供更出色的性能,并提高用户的整体投资回报率,我们的第四代GaN平台正在其它功率等级上创造新的设计机会。我们能够在不牺牲可靠性的情况下减少损耗,并将初始设备投资降低到接近用户之前使用硅基产品时的水平,这表明,GaN在市场上的地位正在强化。”

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