本期内容
2026年2/3月刊
封面故事 Cover Story
垂直GaN晶体管:
起飞时刻
The vertical GaN transistor: Time for take-of
编者话 Editorial
金刚石半导体:
中国能否绕过“高压魔咒”，抢占第四代半导体制高点？
Diamond Semiconductors: Can China Circumvent the "High-Pressure Constraint" to Capture the High Ground in Fourth-Generation Semiconductor Technology?
Ligentec 和 X-FAB 拓展集成光子产品
Ligentec and X-FAB expand integrated photonics
业界动态 Industry
Navitas 发布10 kW 直流- 直流平台
Navitas unveils 10 kW DC-DC platform
英诺赛科与谷歌公司重大业务进展
Innoscience Announces Major Business Progress with Google Inc
歌尔光学亮相SPIE，首发50°大视场角碳化硅光波导模组
Goertek Optics Debuts at SPIE with World's First 50° FOV Silicon Carbide Waveguide Module
AOI 选择牛津仪器公司扩大InP 生产规模
AOI picks Oxford Instruments to scale InP production
新唐科技发布379nm、1W紫外激光二极管
Nuvoton releases 379 nm, 1W UV laser diode
我国6G技术试验有最新进展！
China Reports New 6G Trial Progress ！
科技前沿 Research Review
GaN:
降低GaN p-n 二极管的导通电阻
GaN: Reducing the on-resistance of GaN p-n diodes
突破 10 kV 壁垒
Breaking through the 10 kV barrier
把 ScAlN 薄层电阻砍到新低
Slashing the sheet resistance of ScAlN
铂:
p 型 SiC 的理想接触
Platinum: A promising contact for p-type SiC
技术 Technology
让 SiC 生产不再靠猜
Taking the guesswork out of SiC production
面向自主创新的半导体芯片系统性分析方法论研究
Research on the Systematic Analysis Methodology of Semiconductor Chips
GaN的支柱产业:
消费电子
GaN's stalwart sector: Consumer electronics
推动PCSEL迈向大规模量产
Progressing the PCSEL towards high-volume production
高带宽节能网络
High-bandwidth energy-efficient networks
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粤公网安备 44030402004706号
垂直GaN晶体管有很多优点。与其横向器件相比，它在给定芯片面积下提供更高的击穿电压和电流，同时具有更高的可靠性，并简化热管理。然而，初创公司将垂直GaN 晶体管商业化的努力已告失败，如今是横向变体在商业上取得成功，部分原因在于它确立了一个“杀手级”应用——移动设备的快速充电。阻碍这种更优结构取得成功的 是其同质衬底。