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Aehr对特斯拉SiC减量的评论
2023-3-20
5G:对砷化镓有利
2023-3-19
CSconnected期待英国政府的战略发布
2023-3-17
美国科学家重新审视LED效率—低温下内量子效率反而更低
2023-3-14
NREL团队在CdTe中发现了意想不到的晶体结构
2023-3-13
高压WBG电力电子器件日趋成熟
2023-3-10
美国能源部宣布4800万美元电网项目
2023-3-10
最新议程 | 突破宽禁带半导体测试难点高能来袭,会议亮点纷呈!
2023-3-9
POET与北京FeiYunYi签署光学引擎协议
2023-3-9
Veeco报告又一年的增长
2023-3-7
特斯拉宣布将大幅度减少碳化硅用量,到底意味着什么?
2023-3-7
2023 深圳电子元器件及物料采购展览会(“ES SHOW”)
2023-3-6
武汉团队提升DUV LED性能
2023-3-6
科学家制成固态热晶体管
2023-3-6
Sivers、英特尔和WiSig为印度推出5G毫米波解决方案
2023-3-1
研究人员开创了堆叠micro-LED的工艺
2023-2-24
最新公司新闻
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Filtronic将参加六大展会
2023-3-23
安森美在2023年APEC展上展示智能电源
2023-3-23
英飞凌携手台达电子在电动汽车领域展开合作
2023-3-22
三菱将建设碳化硅晶圆厂
2023-3-22
CISSOID与Silicon Mobility扩大合作伙伴关系,提供完整的SiC逆变器参考设计
2023-3-21
Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器,助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案
2023-3-21
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC
2023-3-21
Lawrence Livermore实验室选择SemiQ SiC二极管
2023-3-20
Murata选择Rohm SiC二极管
2023-3-20
Transphorm和Weltrend结成GaN SIP合作伙伴
2023-3-20
英飞凌收购GaN Systems
2023-3-20
是德科技携手麦吉尔大学,联合演示创纪录的 10 千米距离波段相干传输
2023-3-20
研发报告
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博世加快碳化硅芯片生产
2022-2-14
GaN Systems公司:准备好量产
2022-1-17
Navitas:GaN 占据主导地位的计划
2021-12-21
激光二极管的光明前景
2021-11-15
晶湛:打破300毫米的壁垒
2021-10-26
III-V Epi:对速度的需求
2021-10-14
AFTech:创造杀手级涂层
2021-10-8
Akhan半导体将扩大金刚石电子产品市场
2021-8-26
湖南三安将目光投向碳化硅
2021-8-17
全神贯注于光子学制造
2021-7-2
碳化硅:预见未来
2021-6-4
MicroLED显示屏:专利,Facebook和中国
2021-5-17
高效、价格合理的半极性 GaN
2021-3-30
GaN纳米线晶体管在高电压下保持低温
2021-3-30
2023年 2/3 月刊
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最新技术文章
氧化镓晶体生长方法的选择
2023-3-17
腐蚀离子提高钙钛矿稳定性
2023-3-10
通过衬底驱动应变调控为高性能UVB-LED的制备铺平道路
2023-3-6
消除深紫外激光二极管中的暗线缺陷
2023-3-6
光速下的矩阵乘法
2023-2-17
保护太空中的钙钛矿
2023-2-10
氢气清洗确保GaN VCSEL的高质量反射镜
2023-2-9
剥离AlGaN膜
2023-2-8
GaN:解决数据中心可持续性和盈利能力的双重挑战
2023-2-2
加速AlN的HVPE生长
2023-2-2
出货量突破10亿颗的VCSEL,能给下一代车载感知带来什么?
2023-2-1
是时候消灭死区时间了
2023-2-1
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