EPC使200V EGaN FET性能翻倍

新一代FET适用于同步整流、D类音频、太阳能微逆变器和高压AC / DC转换器

通过引入EPC2215和EPC2207 200 V eGaN FETs，EPC在提高性能的同时降低了现有GaN晶体管的成本。

这些设备的应用包括D类音频、同步整流、太阳能MPPT（最大功率点跟踪器）、DC-DC转换器（硬开关和谐振）以及多电平高压转换器。

EPC2215（8mΩ，162 Apulsed)）和EPC2207（22mΩ，54 Apulsed)）的大小约是上一代200 V eGaN器件的一半，但性能提高了一倍。与基准硅器件相比，性能优势也更高。EPC2215的导通电阻降低了33％，但尺寸却缩小了15倍。

比采用新技术的硅MOSFET器件，栅极电荷（QG）小了十倍，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），这使得D类音频放大器失真更低，并且同步整流器和电动机驱动器更有效率。

性能比较

EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET以热效率更高的更小尺寸实现了更高的性能，并且成本与传统MOSFET相当。GaN器件对老化的功率MOSFET的替代不可避免，这一点日渐明显。”

EPC与德克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）合作开发了基于400 V，2.5 kW的eGaN FET的四电平飞电容器多级无桥图腾柱整流器，适用于数据中心应用使用新的EPC2215 200 V设备。该大学的一位教授Alex Huang评论道：“ eGaN FET的优越特性使该转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”