Transphorm第二款900V GaN FET投产

Transphorm Inc. 公司第二款900V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，已通过JEDEC认证。 

这款900V GaN FET新品的主要目标市场针对广泛的工业应用和可再生能源领域，包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明和储能等应用。

此外，凭借900V产品组合，Transphorm正逐步扩大电压范围，以涵盖三相应用。

产品特点

TP90H050WS是Transphorm公司继TP90H180PS之后的第二款900V器件。

此双芯片式常关型功率晶体管采用标准TO-247封装，具有±20V栅极鲁棒性，从而提高其在电力系统中的可靠性和可设计性。

Transphorm的高速GaN与耐热性强的TO-247封装相结合，使系统在具有无桥图腾柱功率因数校正(PFC)的典型半桥配置中可获得超过99%的效率，同时产生高达10kW的功率。

Transphorm技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm在其900V平台上所做的工作展示了高压氮化镓功率晶体管所具备的能力。“ 

Philip Zuk认为，该900V氮化镓功率器件新品使得Transphorm能够支持之前没有涉足的应用领域。 

在向市场推出50毫欧FET样品时，Transphorm就已经看到来自客户对此产品的浓厚兴趣。目前，这款900V器件的供应状态现已转变为能够满足客户需求的大批量生产。

产品应用

据了解，伊利诺伊理工学院(IIT)目前正在一个先进能源研究计划署的ARPA-E CIRCUITS项目中使用TP90H050WS开展相关工作。
该项目将Transphorm的前沿产品与IIT的创新型固态开关拓扑独特结合，项目将为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器(SSCB)，包括使用900V GaN器件开发自主操作、可编程的智能双向SSCB。

伊利诺伊理工学院的John Shen博士解释道：“我们的SSCB项目需要一种非传统的电源转换解决方案，该解决方案不仅要在速度方面优于机械式断路器，而且还需要帮助我们降低功耗。”

John Shen博士认为，“Transphorm的GaN技术超越了我们的预期。它提供完整封装、高功率密度、可靠的双向性，并且作为市面上唯一的900V GaN器件，以一种小型封装提供了前所未有的功率输出。”

900V评估板

Transphorm借助其直交逆变器评估板，继续帮助客户简化开发工作。

TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫欧FET设计，使用全桥拓扑来支持以100 kHz或以上频率运行的单相逆变器系统。

订购渠道

该900V氮化镓FET器件及其评估板，可通过Digi-Key和Mouser订购：

TP90H050WS (50mΩ TO-247 FET)

TDINV3500P100-KIT

  Transphorm更早推出的另一款900V氮化镓FET器件TP90H180PS (170mΩ TO-220 FET)，也可在相同的分销代理渠道获得。