Microchip扩展射频 GaN 的应用范围

新型 MMIC 和分立器件可提供 5G、卫星通信和国防应用所需的性能水平

Microchip Technology 宣布将大幅扩展其 GaN 射频功率器件产品组合，推出新的 MMIC 和分立晶体管，覆盖频率高达 20 GHz。这些器件结合了高功率附加效率 (PAE) 和高线性度，可在从 5G 到电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统以及测试设备的应用中提供新的性能水平。

与所有 Microchip GaN 射频功率产品一样，这些器件采用 GaN-on-SiC 技术制造，可提供高功率密度和良率的最佳组合，以及在 255 摄氏度结温下的高压操作和超过100万小时的使用寿命。

它们包括覆盖 2 至 18 GHz、12 至 20 GHz 和 12 至 20 GHz 的 GaN MMIC，具有高达 20 W 的 3 dB 压缩点 (P3dB) 射频输出功率和高达 25% 的效率，以及裸芯片和封装的 GaN适用于 S 和 X 波段的 MMIC 放大器具有高达 60% 的 PAE，以及覆盖 DC 至 14 GHz 的分立式高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件，具有高达 100W 的 P3dB 射频输出功率和 70% 的最大效率。

“Microchip 继续投资于我们的 GaN RF 产品系列，以支持从微波到毫米波长的所有频率的每一个应用，我们的产品组合包括 50 多种器件，从低功率级到 2.2 kW，”Microchip 分立产品业务部总裁副总裁 Leon Gross 说。 “今天宣布的这些产品涵盖 2 至 20 GHz，旨在满足 5G 和其他无线网络中采用的高阶调制技术所带来的线性和效率挑战，以及卫星通信和国防应用的独特需求。 ”

除了 GaN 器件外，Microchip 的射频半导体产品组合还包括从 GaAs 射频放大器和模块到低噪声放大器、前端模块 (RFFE)、变容二极管、肖特基二极管和 PIN 二极管、射频开关和电压可变衰减器。

此外，该公司还提供高性能声表面波（SAW）传感器和微机电系统（MEMS）振荡器以及高度集成的模块，这些模块将微控制器（MCU）与射频收发器（Wi-Fi®MCU）相结合，支持从蓝牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短距离无线通信协议。

Microchip 提供电路板设计支持以帮助设计插入，该公司的分销合作伙伴也是如此。该公司还为新的 GaN 产品提供紧凑型模型，让客户可以更轻松地模拟性能并加快其系统中功率放大器的设计。

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