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格芯获得3500万美元资金,用于加速GaN计划

      材料来源:ACT化合物半导体

美国政府为佛蒙特州工厂提供资金,使其向大规模生产下一代GaN芯片迈进
格芯(GlobalFoundries)获得了美国政府提供的3500万美元联邦资金,这笔资金将用于佛蒙特州Essex Junction工厂,以加速制造GaN-on-silicon芯片。
有了美国国防部可信接入项目办公室(TAPO)提供的新资金,格芯计划采购更多工具来扩大其开发能力和原型设计能力,向大规模生产200 mm GaN-on-silicon迈进。
格芯表示,还计划实施新的能力,以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险,同时提高美国制造GaN芯片的开发速度、供应保证、竞争力。
这笔资金基于格芯此前与美国政府的合作,其中2020-2022年期间,美国政府向其提供了4000万美元的支持资金。
格芯的工厂位于佛蒙特州Essex Junction伯灵顿附近,是美国首批大型半导体制造基地之一。目前,约有1800名格芯员工在此工作。
 
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