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英特尔的“DrGaN”技术将在今年的国际电子器件会议上亮相

      材料来源:雅时化合物半导体

IEEE会议将于旧金山举行,届时将有四场会议,讨论功率器件、宽带隙器件、高频器件、低温器件等方面的进展
12月9日至13日,第69届年度IEEE国际电子器件会议(IEDM)将于旧金山举行,今年将有四场会议,讨论功率器件、宽带隙器件、高频器件、低温器件方面的进展。
12月11日星期一,会议将正式拉开帷幕,首先是“GaN功率器件集成”会议,会上英特尔将通过一篇论文展示其首款CMOS“DrGaN”技术,这项技术采用300 mm GaN-on-Si工艺制成,包含带有三维单片集成硅PMOS的增强型GaN MOSHEMT。
12月12日,“电力电子宽带隙材料及器件的最新进展”会议将发表六篇论文,分别介绍Ga2O3器件、金刚石p-MOSFET、SiC沟槽蚀刻双植入(TED) IGBT、AlSiO/p-GaN MOSFET的最新研究成果,演讲者来自北京大学、丰田公司、名古屋大学、日立公司、弗吉尼亚理工大学、早稻田大学。
12月13日星期三,将举行“高频器件和低温射频器件”会议,内容包括IBM的研究,即在低温条件下优化InGaAS HEMT的欧姆接触电阻,以及苏黎世联邦理工学院对InP/GaAsSb DHBT的太赫兹特性分析,结果表明,在50K条件下fmax为1.46 THz。本场会议的其他演讲者来自上海微系统与信息技术研究所、法国原子能委员会电子与信息技术实验室、韩国科学技术院。
最后一场会议也于12月13日举行,主题为“功率应用和射频应用中的宽带隙器件”,其中包含西安电子科技大学的一篇论文,该论文讨论了SiC衬底上的b-Ga2O3射频MOSFET,其功率附加效率为30%,ft/fmax为27.6/57 GHz。此外,IMEC、法国原子能委员会电子与信息技术实验室、斯坦福大学的相关人员也将发表演讲。会议的最后,苏黎世联邦理工学院将应邀发表一篇论文,介绍一种基于射频电场微观操控的新型元器件概念,这一概念可应用于未来的电信技术。
 
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