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总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC芯片项目预计2026年Q1试产

材料来源：厦门日报

据厦门日报消息，近日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目迎来新进展。目前该项目一期正在进行上部结构施工，预计将在2025年一季度封顶，四季度末初步通线，2026年一季度进行试生产。

据悉，该项目是继士兰集科12英寸特色工艺芯片生产线和士兰明镓先进化合物半导体器件生产线后，士兰微落地厦门的第三个重大项目。项目总投资120亿元，总建筑面积23.45万平方米，分两期建设。建成后将极大提升士兰微SiC芯片制造能力，较好满足国内新能源汽车所需的SiC芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的SiC芯片，助力海沧集成电路产业加快发展。

相关负责人介绍，一期项目主要建设主厂房、动力中心、测试中心及配套设施，总建筑面积18.7万平方米，达产后年产42万片。两期全部建成投产后，将形成年产96万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力，年销售额将可达到120亿元。

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