Cambridge GaN Devices：利用 GaN 技术彻底改变电力电子技术

Cambridge GaN Devices（CGD）成立于2016年，是一家总部位于英国剑桥的开创性半导体公司。CGD专注于氮化镓（GaN）功率器件，致力于通过提供节能且易于使用的解决方案来重塑电力电子的未来。该公司的使命是实现更智能、更环保、更紧凑的电源系统，其性能优于传统的硅基技术。CGD的产品组合包括高性能GaN晶体管和集成电路，专为电动汽车（EV）、数据中心、工业自动化和消费电子产品中的应用而设计。该公司已与领先的行业参与者建立了战略合作伙伴关系，包括Chicony Power Technology和Cambridge University Technical Services，以加速GaN技术在全球市场的采用。

技术与创新

Cambridge GaN Devices处于GaN半导体创新的前沿，开发了ICeGaN®技术，这是一种开创性的增强型GaN晶体管平台。与传统的GaN器件不同，ICeGaN 晶体管可以像标准硅MOSFET一样工作，无需专用栅极驱动器或复杂的电压钳位机制。这项创新简化了GaN与现有电力电子设计的集成，使制造商更容易获得。     

CGD最显着的进步之一是组合ICeGaN®混合开关，它将ICeGaN HEMT IC和 IGBT组合在一个模块中。这种混合方法最大限度地提高了效率，同时为EV牵引逆变器提供了昂贵的碳化硅（SiC）解决方案的经济有效的替代方案。Combo ICeGaN®开关可提高轻载效率，减少能量损失，并提高系统可靠性，使其成为超过100kW的EV动力总成应用的游戏规则改变者。

此外，CGD的ICeGaN®功率器件的开关频率明显高于传统的硅基元件，可节省高达50%的能源。这些器件还有助于实现更小、更轻的电子设备，使其成为紧凑和高性能应用的理想选择。与剑桥大学和领先半导体公司的研究合作继续推动创新，确保CGD保持基于GaN的电源解决方案的领导者地位。

产品与服务

Cambridge GaN Devices提供各种基于GaN的电源解决方案，以满足电力电子（PE）和电动汽车（EV）行业的需求。该公司的产品类别包括GaN晶体管、功率IC、栅极驱动器和集成功率模块，所有这些都旨在提高系统效率和可靠性。与传统硅MOSFET相比，CGD的ICeGaN®晶体管具有卓越的性能，可提供更高的效率、更低的功率损耗和更快的开关速度。这些晶体管广泛用于EV动力总成、工业自动化和数据中心电源。      

CGD的ICeGaN®功率IC集成了电流感应和热管理等智能功能，可确保最佳性能和可靠性。该公司的栅极驱动器旨在无缝操作GaN器件，无需额外的外部电路，从而简化系统设计并降低成本。     

CGD产品组合中的杰出产品是CGD65C025SP2，这是一款采用ICeGaN®栅极技术的650V/25mΩ GaN HEMT晶体管。这种增强型硅基氮化镓晶体管专为高功率应用而设计，可提供高电流、令人印象深刻的击穿电压和高开关频率。ICeGaN®栅极技术确保与标准Si/SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器兼容，实现无缝集成。该晶体管具有9-20V宽栅极驱动电压、3V阈值电压和真正的0V关断功能，可提供快速开关速度，非常适合工业电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源和储能系统等千瓦级应用      

通过将先进的GaN技术集成到其产品类别中，CGD使制造商能够开发高效、紧凑和可持续的电力系统，从而推动 PE 和 EV 行业的创新。

Cambridge GaN Devices最近获得了3200万美元的C轮融资，使公司能够将其业务扩展到剑桥、北美、台湾和欧洲。这项投资由British Patient Capital领投，并得到Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital、Foresight Group和IQ Capital的支持，将加速CGD的增长和市场渗透。

该公司的最新技术突破Combo ICeGaN®将彻底改变电动汽车动力总成应用，解决传统IGBT和SiC基逆变器效率低下的问题。CGD专有的ICeGaN®技术继续受到关注，行业领先的客户将其解决方案用于高功率工业、数据中心和汽车应用。

CGD还因其对可持续电力电子的贡献而获得认可，其创新预计每年可减少数百万吨的二氧化碳排放。该公司对能源效率和环境可持续性的承诺使其成为全球向更绿色电力解决方案过渡的关键参与者。

未来前景和行业影响

展望未来，Cambridge GaN Devices旨在通过推动基于GaN的电力电子器件在电动汽车、可再生能源系统和工业自动化中的采用来扩大其市场占有率。该公司的ICeGaN®技术有望在降低能耗和提高系统效率方面发挥关键作用，使GaN成为碳化硅（SiC）解决方案的可行替代品。

行业专家预测，CGD的创新将重塑功率半导体市场，预计到2029年，GaN器件的价值将达到20亿美元。随着CGD继续开发下一代GaN解决方案，其对能源效率、系统小型化和成本降低的影响将推动PE和EV技术的重大进步。

Cambridge GaN Devices在基于GaN的电力电子领域处于领先地位，为PE和 EV行业提供高效、紧凑和可持续的解决方案。凭借其突破性的ICeGaN®技术、战略合作伙伴关系和持续创新，CGD将改变电力电子的未来。

 

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