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三星电子拟扩建1c DRAM产能

材料来源：韩媒

据韩媒报道，三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM产能，相关投资将在年底前启动。

报道称，三星还考虑在2025年底前将华城17号生产线1z DRAM (第三代10奈米等级）制程技术转为1c DRAM制程技术生产，以进一步扩大产能。三星今年早些时候已在平泽第四园区（P4）启动首条1c DRAM生产线，目标月产能为3万片晶圆。若后续扩建顺利，月产能有望提升至4万片。

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