总投资200亿！长飞先进武汉基地首片6寸碳化硅晶圆下线

据“支点财经”报道，5月28日，长飞先进武汉基地一期已实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆成功下线。

据悉，长飞先进武汉基地项目总投资200亿元，占地面积498亩，聚焦第三代半导体功率器件研发与生产。其中一期总投资80亿元，占地344亩，达产后将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率模块的制造能力。产品将主要用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

值得一提的是，长飞先进武汉基地还建立了覆盖材料、化学分析、可靠性测试、失效分析、产品特性和产品应用的全产业链实验室，致力于打造一个集芯片设计、制造，以及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚介绍，新能源汽车的主驱逆变器相当于传统燃油车的发动机，以往主驱逆变器的碳化硅芯片主要依赖进口，公司产品投产后将可实现国产替代，一期产能可满足120万辆新能源汽车使用需求。

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