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东微半导：SiC产品已送样多个头部客户并design win

9月9日，东微半导在投资者互动平台表示，公司很早就已布局了SiC业务，以高性能电源应用方向为切入口，积极开展研发工作。

公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已实现规模化量产，相关产品的性能指标和同类型竞品对比优势明显，第四代SiC MOSFET产品技术平台已完成研发。

东微半导称，SiC产品已送样多个头部客户并design win。未来随着高性能电源业务的进一步发展，有望为公司SiC业务提供持续推动力。

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