安森美联合格罗方德开发下一代氮化镓功率器件

12月22日消息，安森美半导体近日宣布与格罗方德半导体（GF）签署合作协议，共同开发并制造先进氮化镓（GaN）功率产品，首款产品为650V器件。

据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米eMode硅基氮化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工业、航空航天等应用场景，提供更小、更高能效的优化系统解决方案。

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