三星电子西安晶圆厂已量产第八代236层NAND闪存

据韩媒报道，近日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂已成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND(V8 NAND)的量产。

据悉，西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的半导体生产基地。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6(128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。

此次量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

【2026全年计划】

CSC全年系列研讨会重磅登场！全年多场深度对话，覆盖化合物半导体全产业链核心议题。诚邀您一同探索技术未来，破解产业难题，共创合作机遇，欢迎大家关注我们最新年度的全年计划：https://www.compoundsemiconductorchina.net/seminar/