DBR设计提升倒装芯片mini-LED的效率

WHU团队通过设计多堆叠分布式布拉格反射器提高倒装蓝色mini-LED的效率

武汉大学和中国Guangdong Gancom Optoelectronics Technology有限公司的研究人员报道了高反射率多层Ti3O5/SiO2 DBR，以提高GaN基蓝色倒装芯片（FC）mini-LED的光输出功率（LOP）。

“我们的多堆叠DBR为实现高效的蓝色倒装芯片mini-LED提供了一种很有前途的策略，这在满足下一代显示技术的高动态范围需求方面发挥着重要作用。”武汉大学教授、这项研究的负责人Shengjun Zhou表示。

研究人员展示了一种反射率优化策略，用于构建高反射率多层DBR。通过合理设计sub-DBR的数量和安排sub-DBR中心波长分布，sub-DBR之间的光子带隙重叠，多叠层DBR的反射带宽变宽，从而提高了反射率，减轻了角度依赖性。

基于反射率优化策略，设计了一种具有高反射率（>97.5%）和较小角度依赖性的五重叠层DBR。与全角度DBR相比，五重叠层DBR在大角度入射时表现出更高的反射率和更薄的介电层厚度。

得益于优异的反射性能，在10mA下，具有ITO/五重堆叠DBR的蓝色FC mini-LED的LOP与具有ITO/全角度DBR的蓝FC mini-LED相比提高了约5.8%。

参考文献

‘Strategically constructed high-reflectivity multiple-stack distributed Bragg reflectors for efficient GaN-based flip-chip mini-LEDs’ by Lang Shi et al; Journal of Physics D: Applied Physics (2023).

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、化合物半导体先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“化合物半导体先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2